講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-01-29 13:50
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高(NICT) ED2020-33 MW2020-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2020-33 MW2020-86 |
抄録 |
(和) |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において,電流利得遮断周波数 9 GHz,最大発振周波数 27 GHzという優れたRF小信号特性を達成した.このMOSFETの簡単な遅延時間解析から, 実効電子速度は約2 × 106 cm/sと見積もられた. さらに, Ga2O3チャネルの比較的低い電子移動度のためにシート抵抗が大きいことから, 電荷充電遅延が全遅延時間の大きな割合を占めていることが分かった. このため, Ga2O3 MOSFETの高周波性能を向上のためには, アクセス抵抗の大幅な低減が不可欠である. |
(英) |
Superior RF small-signal characteristics of a current-gain cutoff frequency (fT) of 9 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 27 GHz were achieved for β-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with a gate length of 200 nm. From simple delay-time analysis on the MOSFETs, the effective electron velocity was estimated to be about 2 × 106 cm/s. Moreover, it was analyzed that the parasitic channel charging delay occupied a substantial proportion of the total delay due to a large sheet resistance caused by a relatively low electron mobility of the Ga2O3 channel. Significant reduction in the access resistance is considered to be indispensable in improving high-frequency performance of Ga2O3 MOSFETs. |
キーワード |
(和) |
酸化ガリウム / MOSFET / 高周波特性 / 遅延時間解析 / / / / |
(英) |
Gallium oxide / MOSFET / RF characteristic / Delay time analysis / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 353, ED2020-33, pp. 30-33, 2021年1月. |
資料番号 |
ED2020-33 |
発行日 |
2021-01-22 (ED, MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2020-33 MW2020-86 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2020-33 MW2020-86 |