講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-01-29 14:50
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討 ○谷口慶伍(東京理科大)・細谷友崇(東北大)・楳田洋太郎・高野恭弥(東京理科大)・末光哲也・佐藤 昭(東北大) ED2020-35 MW2020-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2020-35 MW2020-88 |
抄録 |
(和) |
本稿では、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の寄生抵抗を高精度に抽出する新しい方法を提案する。従来の抽出方法では, 寄生抵抗の一部のパラメータを求める際に, 周波数を特定の低周波数に固定し導出した. しかし, この方法ではミリ波帯及びサブミリ波帯での適用が期待されるInGaAs HEMTの寄生抵抗抽出に適さない可能性がある. そこで本稿では, 寄生抵抗を測定周波数全体を使って求める方法を提案し, 抽出精度の改善を示す。 |
(英) |
In this paper, we propose a new method to extract the parasitic resistances of high electron mobility transistor (HEMT) with high accuracy. In the conventional extraction method, we use a specific low frequency to extracting some parameters of the parasitic resistances. However, this method may not be suitable to extracting the parasitic resistances because HEMT is expected to be applied to circuits in the millimeter wave band and submillimeter wave band. Therefore, in this paper, with the entire measurement frequency, we propose a new method to obtain the parasitic resistances and show the improvement of extraction accuracy. |
キーワード |
(和) |
ミリ波 / HEMT / 寄生抵抗 / / / / / |
(英) |
millimeter wave / HEMT / parasitic resistance / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 354, MW2020-88, pp. 38-43, 2021年1月. |
資料番号 |
MW2020-88 |
発行日 |
2021-01-22 (ED, MW) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2020-35 MW2020-88 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2020-35 MW2020-88 |
|