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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2021-01-28 15:35 ［招待講演］プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価 ○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史（パナソニック）・占部継一郎・江利口浩二（京大）  SDM2020-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-53 |
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| 抄録 | （和） | イメージセンサに代表される超低リーク電流デバイスを設計する上で，極微少量欠陥の存在および分布がデバイス特性に及ぼす影響を理解することが非常に重要である．微細化が進展するにつれ，プラズマ処理中の入射イオンの「確率的な横方向への散乱（ラテラル散乱）」の影響は相対的に増大する．従来の電気的分析手法では極微少量の欠陥を横方向と縦（深さ）方向に区別することは困難である．そこで今回我々は，横方向pn接合の接合距離を変化させたデバイス構造を設計した．この構造を用いて，プラズマ誘起ダメージ生成に伴う接合リーク電流の変化を解析することで，横方向に分布する極微少量欠陥の存在および密度分布を明らかにした．本稿ではさらに，CMOSイメージセンサベースの構造を用いて，pn接合リーク電流（暗電流）の温度依存性から活性化エネルギーを評価し，欠陥の統計的特徴について議論を展開する． |
| （英） | In the design of ultra-low leakage devices such as image sensors, it is critical to understand the distribution of an extremely small number of defects and the effect of their presence on device performances. As the device size is scaled down, the effect of "stochastic lateral straggling" of incident species during plasma processing on device performance becomes enhanced. It is difficult to distinguish an extremely small number of defects in the lateral and vertical directions using conventional electrical analysis methods. In this study, we have designed device structures with various distances of pn junction in the lateral direction. We analyzed the change in junction leakage current due to plasma-induced damage using the structures and clarified the density and profile of defects in the lateral direction. Furthermore, we have investigated the activation energy from the temperature dependence of junction leakage current (dark current) using CMOS image sensor-based structures and discuss the statistical features of the defects. | |
| キーワード | （和） | プラズマ誘起ダメージ / 欠陥 / ラテラル散乱 / pn接合 / / / / |
| （英） | Plasma-induced damage / defect / lateral straggling / pn junction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 352, SDM2020-53, pp. 17-20, 2021年1月. | |
| 資料番号 | SDM2020-53 | |
| 発行日 | 2021-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2020-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2021-01-28 - 2021-01-28 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2021-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Defects in Si Substrates Introduced by Stochastic Lateral Straggling during Plasma Exposure and Its Impact on Ultra-low Leakage Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ誘起ダメージ / Plasma-induced damage |
| キーワード(2)（和/英） | 欠陥 / defect |
| キーワード(3)（和/英） | ラテラル散乱 / lateral straggling |
| キーワード(4)（和/英） | pn接合 / pn junction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 好弘 / Yoshihiro Sato / サトウ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 隆善 / Takayoshi Yamada / ヤマダ タカヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 佳壽子 / Kazuko Nishimura / ニシムラ カズコ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 雅之 / Masayuki Yamasaki / ヤマサキ マサユキ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 雅史 / Masashi Murakami / ムラカミ マサシ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック (略称： パナソニック) Panasonic (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 占部 継一郎 / Keiichiro Urabe / ウラベ ケイイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江利口 浩二 / Koji Eriguchi / エリグチ コウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2021-01-28 15:35:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2020-53 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.352 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-01-21 (SDM) |
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