講演抄録/キーワード |
講演名 |
2021-01-25 13:55
カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 ○新井大輔(名大)・神山祐輔・八木修一・河合弘治・成井啓修(パウデック)・今岡 淳・山本真義(名大) EE2020-32 |
抄録 |
(和) |
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し,抵抗負荷でスイッチングさせ,ターンオン過程を解析した.通常のカスコード接続では,高耐圧デバイスのゲートをグランドに落とす.しかし分極超接合GaN-FETの場合,ゲートリーク電流が増加しない範囲でゲート電位を定電圧源によってクランプしておくとターンオンが速くなることが実験とシミュレーションから分かった.シミュレーションによると,ゲート電位を定電圧源を使ってクランプするとターンオン時にホールがすばやく供給され,ターンオンが速くなることが明らかになった. |
(英) |
The turn-on transient of the cascode connected Polarization Super-Junction (PSJ) GaN-FET with 1200V class has been investigated. For standard cascode connection the gate of the high voltage device is connected to GND. However, for PSJ-FET experiments and device simulations both showed that faster turn-on is achieved when the gate voltage is clamped by the voltage source. The device simulations indicated that clamped gate voltage for PSJ-FET enhances the return of the holes to the on-state from the off-state which accelerates the turn-on transient. |
キーワード |
(和) |
GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on / / |
(英) |
GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 340, EE2020-32, pp. 47-52, 2021年1月. |
資料番号 |
EE2020-32 |
発行日 |
2021-01-18 (EE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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EE2020-32 |