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講演抄録/キーワード
講演名 2021-01-25 13:55
カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析
新井大輔名大)・神山祐輔八木修一河合弘治成井啓修パウデック)・今岡 淳山本真義名大EE2020-32
抄録 (和) ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し,抵抗負荷でスイッチングさせ,ターンオン過程を解析した.通常のカスコード接続では,高耐圧デバイスのゲートをグランドに落とす.しかし分極超接合GaN-FETの場合,ゲートリーク電流が増加しない範囲でゲート電位を定電圧源によってクランプしておくとターンオンが速くなることが実験とシミュレーションから分かった.シミュレーションによると,ゲート電位を定電圧源を使ってクランプするとターンオン時にホールがすばやく供給され,ターンオンが速くなることが明らかになった. 
(英) The turn-on transient of the cascode connected Polarization Super-Junction (PSJ) GaN-FET with 1200V class has been investigated. For standard cascode connection the gate of the high voltage device is connected to GND. However, for PSJ-FET experiments and device simulations both showed that faster turn-on is achieved when the gate voltage is clamped by the voltage source. The device simulations indicated that clamped gate voltage for PSJ-FET enhances the return of the holes to the on-state from the off-state which accelerates the turn-on transient.
キーワード (和) GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on / /  
(英) GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 340, EE2020-32, pp. 47-52, 2021年1月.
資料番号 EE2020-32 
発行日 2021-01-18 (EE) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EE2020-32

研究会情報
研究会 EE  
開催期間 2021-01-25 - 2021-01-25 
開催地(和) オンライン開催 (Zoom) 
開催地(英) Online (Zoom) 
テーマ(和) 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連、一般 
テーマ(英) DC/DC converter, New circuit for power conversion and control, others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EE 
会議コード 2021-01-EE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analysis on the turn-on transient of cascode connected Polarization Super-Junction GaN-FET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(3)(和/英) Polarization Super-Junction / Polarization Super-Junction  
キーワード(4)(和/英) cascode / cascode  
キーワード(5)(和/英) switching / switching  
キーワード(6)(和/英) turn-on / turn-on  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 大輔 / Daisuke Arai / アライ ダイスケ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 神山 祐輔 / Yusuke Kamiyama / カミヤマ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) パウデック (略称: パウデック)
POWDEC (略称: POWDEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 修一 / Shuichi Yagi / ヤギ シュウイチ
第3著者 所属(和/英) パウデック (略称: パウデック)
POWDEC (略称: POWDEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河合 弘治 / Hiroji Kawai / カワイ ヒロジ
第4著者 所属(和/英) パウデック (略称: パウデック)
POWDEC (略称: POWDEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 成井 啓修 / Hironobu Narui / ナルイ ヒロノブ
第5著者 所属(和/英) パウデック (略称: パウデック)
POWDEC (略称: POWDEC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 今岡 淳 / Jun Imaoka / イマオカ ジュン
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 真義 / Masayoshi Yamamoto / ヤマモト マサヨシ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2021-01-25 13:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EE 
資料番号 EE2020-32 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.340 
ページ範囲 pp.47-52 
ページ数
発行日 2021-01-18 (EE) 


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