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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-12-10 16:25 Cross coupled CMOS pair を用いる2.4 GHz帯SOI-CMOS整流器IC ○廣野敦哉・伊東健治・坂井尚貴・土本隼也（金沢工大）  MW2020-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2020-78 |
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| 抄録 | （和） | 本報告では，CMOSプロセスによる整流器ICの高効率化，大電力化を目的に実施した，2.4 GHz帯整流器IC の設計・試作結果を報告する．まず整流器の整流素子構成の検討を行う．Gated Anode Diode(GAD)と比較し，Cross Coupled CMOS Pair(CCP)が低閾値かつ高ブレークダウン電圧であることを示す．さらにCCPによりブリッジ整流器を構成するとともに，本来の平衡入力の構成のほかに，不平衡アンテナとの接続が可能な不平衡入力の構成を示している．Global Foundries 社のSOI-CMOSプロセスである45RFSOIを用い，ゲート長112 nmのMOSFETによる試作結果では， 2.4 GHz 帯において25 dBm入力時に51 %を得ている．Sub-W級のCMOS整流器として，トップの入力電力，整流効率である． |
| （英） | This report describes 2.4GHz band SOI-CMOS rectifier IC with the cross coupled CMOS pair. At first of all, topologies of the rectifier CMOS diode are investigated for high power and highly efficient characteristics. It is clarified that Cross Coupled CMOS Pair(CCP) has advantages on the threshold/break-down voltages compared with Gated Anode Diode(GAD). As overall bridge rectifier ICs with the CCP, following two configurations are designed: one has conventional balanced RF port, another one has unbalanced RF port. In experimental investigations with 112 nm MOSFET (45RFSOI, Global Foundries), rectification efficiency of 51 % at input power of 25 dBm can be achieved. As sub-W class CMOS rectifier IC, this is top performance. | |
| キーワード | （和） | 整流器IC / SOI-CMOS / Cross coupled CMOS / / / / / |
| （英） | Rectifier IC / SOI-CMOS / Cross coupled CMOS / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 280, MW2020-78, pp. 42-47, 2020年12月. | |
| 資料番号 | MW2020-78 | |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2020-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2020-78 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2020-12-10 - 2020-12-10 |
| 開催地（和） | 富士通研究所 (厚木)+オンライン開催 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 計測技術/一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2020-12-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Cross coupled CMOS pair を用いる2.4 GHz帯SOI-CMOS整流器IC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The 2.4 GHz band SOI-CMOS rectifier IC with the cross coupled CMOS pair |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 整流器IC / Rectifier IC |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-CMOS / SOI-CMOS |
| キーワード(3)（和/英） | Cross coupled CMOS / Cross coupled CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣野 敦哉 / Atsuya Hirono / ヒロノ アツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土本 隼也 / Shunya Tsuchimoto / |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-12-10 16:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2020-78 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.42-47 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) |
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