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講演抄録/キーワード
講演名 2020-12-02 15:00
TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存
山田和尚木本恒暢京大)・西 佑介京大/舞鶴高専EID2020-11 SDM2020-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2020-11 SDM2020-45
抄録 (和) 本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同一の素子において、異なる二種類の抵抗変化特性が発現した.初期状態の素子をフォーミングさせると、その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した.一方で、フォーミングをさせず、初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は、その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した.素子の電気的特性およびTa2O5層の酸素空孔の分布などから、それぞれの動作モデルについて検討をおこなった. 
(英) In this study, we have investigated the resistive switching (RS) characteristics of Ni/Ta2O5/TiN stack structure devices. Two different RS characteristics were observed in the same device. After forming, it showed abrupt (digital) RS characteristics. On the other hand, the device that transitioned to a particular state by the application of voltage to the initial state showed gradual (analog) RS characteristics. Based on the electrical characteristics of the devices and the distribution of oxygen vacancies in the Ta2O5 layer, we propose an RS operation model.
キーワード (和) ReRAM / TiN / Ta2O5 / 電極材料 / / / /  
(英) ReRAM / Titanium nitride / Tantalum oxide / Electrode materials / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 273, SDM2020-45, pp. 42-45, 2020年12月.
資料番号 SDM2020-45 
発行日 2020-11-25 (EID, SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EID2020-11 SDM2020-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:EID2020-11 SDM2020-45

研究会情報
研究会 EID SDM ITE-IDY  
開催期間 2020-12-02 - 2020-12-02 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Coexistence of digital and analog resistive switching in Ta2O5-based ReRAM cells with TiN electrodes. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) TiN / Titanium nitride  
キーワード(3)(和/英) Ta2O5 / Tantalum oxide  
キーワード(4)(和/英) 電極材料 / Electrode materials  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 和尚 / Kazutaka Yamada / ヤマダ カズタカ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 佑介 / Yusuke Nishi / ニシ ユウスケ
第3著者 所属(和/英) 京都大学/舞鶴工業高等専門学校 (略称: 京大/舞鶴高専)
Kyoto University/National Institute of Technology, Maizuru College (略称: Kyoto Univ./NIT, Maizuru College)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-12-02 15:00:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 EID2020-11, SDM2020-45 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.272(EID), no.273(SDM) 
ページ範囲 pp.42-45 
ページ数
発行日 2020-11-25 (EID, SDM) 


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