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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 14:10 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 ○上向井正裕・樋口晃大・谷川智之・片山竜二（阪大）  ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 |
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| 抄録 | （和） | GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400 nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200 nm帯深紫外光発生や800 nm帯スクイーズド光発生が可能となる．一般に高効率波長変換デバイスの波長許容幅は非常に狭く，励起光源には波長可変特性が必須となる．近年，比較的長い周期構造を有する400 nm帯単一モードレーザの報告がいくつか出てきたものの，波長可変レーザの報告は皆無である．本研究では，複数の溝を周期的に設けたスロット構造を有する新規InGaN単一モードレーザの設計・作製を行い，周期的スロット構造領域に電流注入を行うことで波長可変単一モード発振を実現したので報告する． |
| （英） | Nitride semiconductors such as GaN and AlN have strong optical nonlinearity, and they can be applied to nonlinear optical devices. 200-nm band deep UV light and 800-nm band squeezed light can be obtained from such devices pumped by 400-nm band InGaN QW single-mode lasers. In order to pump the high-efficiency wavelength conversion devices having a narrow wavelength bandwidth, wavelength tunable single-mode lasers are required. In this work, we design and fabricate an InGaN single-mode laser with a periodically slotted structure, and demonstrate wavelength tunable single-mode lasing by current injection to the periodic structures. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / 半導体レーザ / 波長可変 / 単一モードレーザ / スロットレーザ / / / |
| （英） | Nitride semiconductors / Semiconductor lasers / Wavelength tuning / Single-mode lasers / Slotted lasers / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-72, pp. 79-82, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-72 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First demonstration of InGaN QW tunable single-mode laser with periodically slotted structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor lasers |
| キーワード(3)（和/英） | 波長可変 / Wavelength tuning |
| キーワード(4)（和/英） | 単一モードレーザ / Single-mode lasers |
| キーワード(5)（和/英） | スロットレーザ / Slotted lasers |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai / ウエムカイ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 樋口 晃大 / Akihiro Higuchi / ヒグチ アキヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 竜二 / Ryuji Katayama / カタヤマ リュウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 14:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-21, CPM2020-42, LQE2020-72 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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