講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-11-27 11:20
AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦(福井大)・葛原正明(関西学院大) ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
抄録 |
(和) |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特性との比較に関する報告が少ない。本研究ではZrO2とSiO2のMIS-HEMTとSG-HEMTを半絶縁性SiCの上にAl0.25Ga0.75N/GaNエピウェーハを用いて試作した。s-パラメータ測定とロードプル測定を行い、MIS構造とSG構造の大信号特性を比較した。それぞれのサンプルの高電界電子ドリフト速度も測定し、構造による特性変化の原因について考察した。 |
(英) |
Several groups have reported improved performance in GaN-based transistors employing metal-insulator-semiconductor (MIS) structures over their Schottky-gate (SG) device counterparts. However, to the best of authors’ knowledge, large signal characteristics of those devices are rarely discussed or compared. In this study we have fabricated (ZrO2, SiO2) MIS and SiN passivated SG HEMTs, using Al0.25Ga0.75N/GaN epitaxially grown on semi-insulating SiC substrates. S-parameters were measured and subsequent de-embedding calculations were performed to quantify parasitic components. Alongside with small signal parameters, large signal load-pull measurements were performed. Electron mobility of gateless devices was also measured and compared. |
キーワード |
(和) |
AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / 高周波特性 / s-パラメータ / LP測定 / / / |
(英) |
AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / high frequency performance / s-parameters / LP measurements / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 255, CPM2020-37, pp. 60-62, 2020年11月. |
資料番号 |
CPM2020-37 |
発行日 |
2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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