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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-11-27 13:00 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 ○田先美貴子・清原一樹・小田原麻人・伊藤太一・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名大）  ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 |
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| 抄録 | （和） | GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型層を厚く覆っているため、横方向Mg活性化として、高温（725℃）長時間（30分）の熱アニールが必要である。本報告では、酸素および窒素雰囲気下で様々な温度、時間にて上記Mg活性化を行い、より高い発光強度が得られるMg活性化条件（酸素雰囲気下725℃×45分と800℃×15分）を明らかにした。一方で、酸素雰囲気下でアニールすると、nコンタクト抵抗が増大してしまうことも見出した。 |
| （英） | Current confinement structures with GaN tunnel junctions have been utilized in LEDs and laser diodes. In such devices, a lateral Mg activation with high annealing temperature (725℃) and long time (30min) is required. In this study, we carried out Mg activations under various conditions, such as temperatures, time, and atmospheric gases (O2 or N2). We then found that higher light output power values were obtained by using 725℃ for 45min and 800℃ for 15min under oxygen gas. On the other hand, n-contact resistances were increased by the annealing under oxygen gas. | |
| キーワード | （和） | GaNトンネル接合 / 横方向Mg活性化 / 熱アニール / / / / / |
| （英） | GaN tunnel junctions / lateral Mg activation / annealing / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-69, pp. 67-70, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-69 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of lateral Mg activation in LEDs with GaN tunnel junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNトンネル接合 / GaN tunnel junctions |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向Mg活性化 / lateral Mg activation |
| キーワード(3)（和/英） | 熱アニール / annealing |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田先 美貴子 / Mikiko Tasaki / タサキ ミキコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清原 一樹 / Kazuki Kiyohara / キヨハラ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田原 麻人 / Mahito Odawara / オダワラ マヒト |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 太一 / Taichi Ito / イトウ タイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-27 13:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-18, CPM2020-39, LQE2020-69 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.67-70 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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