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| 講演名 | 2020-11-26 10:25 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 ○山口拓海・有賀恭介・森 恵人・山口敦史（金沢工大）  ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温における内部量子効率が100%であると仮定し, 温度上昇に伴う発光強度の減少を内部量子効率の減少だけによるものとして算出する方法である. この方法は原理がわかりやすく, 測定も比較的簡便なので, よく用いられるが, 内部量子効率を正しく見積もるためにはさまざまな注意が必要である. 本研究では, 同一のInGaN量子井戸試料に対して, 様々な励起波長で発光強度の温度依存性を測定し, 励起波長によって見積もられる内部量子効率が全く異なることを示した. そして, この現象が, バンドギャップの温度変化に伴って励起キャリア密度が変化することに起因していることを半定量的に説明することができた. |
| （英） | Internal quantum efficiency in III-nitride semiconductor light emitting layers is usually estimated from the experimental results of the temperature dependence of photoluminescence intensity. In this method, the internal quantum efficiency at extremely low temperature is assumed as 100%, and the decrease in emission intensity with increasing temperature is considered to be caused only by the decrease in internal quantum efficiency. Since the principle of the method is easy to understand and the measurement is relatively simple, it is frequently used. However, the method cannot always provide accurate values of the internal quantum efficiency. In this study, we have measured the temperature dependence of emission intensity at various excitation wavelengths for the same InGaN quantum-well sample, and have shown that the estimated internal quantum efficiency strongly depends on the excitation wavelength. Furthermore, the experimental results have been semi-quantitatively reproduced by the simple theoretical model in which the temperature dependence of excited carrier density due to temperature-induced bandgap shift. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 内部量子効率 / 発光温度消光 / / / / / |
| （英） | InGaN quantum wells / Internal quantum efficiency / temperature-induced photoluminescence quenching / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-53, pp. 5-8, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-53 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-2 CPM2020-23 LQE2020-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excitation wavelength dependence of temperature-induced photoluminescence quenching in InGaN quantum wells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum wells |
| キーワード(2)（和/英） | 内部量子効率 / Internal quantum efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 発光温度消光 / temperature-induced photoluminescence quenching |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 拓海 / Takumi Yamaguchi / ヤマグチ タクミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有賀 恭介 / Kyosuke Ariga / アリガ キョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 恵人 / Keito Mori / モリ ケイト |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 10:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-2, CPM2020-23, LQE2020-53 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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