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講演抄録/キーワード
講演名 2020-11-26 15:50
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ロー ルイ シャン永瀬 樹バラトフ アリアスバル ジョエル タクラ徳田博邦福井大)・葛原正明関西学院大)・谷田部然治内藤健太本山智洋中村有水熊本大ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
抄録 (和) 近年、ミスト化学気相成長(mist-CVD)法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成例が報告されている。本研究ではmist-CVD 法により堆積したAl2O3をゲート絶縁膜に採用した AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製した。Mist₋Al2O3 MIS-HEMTはフォワードゲートリーク電流を抑制することができ、SG-HEMTより高い最大ドレイン電流が得られた。さらにmist-Al2O3 MIS キャパシタを試作し、絶縁膜/AlGaN界面特性の評価を行った。ヒステリシスのない伝達特性と容量–電圧特性が得られ、mist-Al2O3/AlGaN界面は良好な特性を有していることが示唆された。 
(英) We have fabricated AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors (MIS-HEMTs) using Al2O3 gate dielectric deposited by mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique. The mist-Al2O3 MISHEMTs exhibited highly improved performance compared with the Schottky-gate devices. We obtained practically hysteresis-free transfer curves and capacitance-voltage profiles from the fabricated mist-Al2O3 MIS-HEMTs suggesting high interfacial quality of the mist-Al2O3/AlGaN structure.
キーワード (和) ミスト CVD / AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / Al2O3絶縁膜 / / / / /  
(英) Mist-CVD / AlGaN/GaN HEMT / Al2O3 insulator / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 254, ED2020-13, pp. 49-52, 2020年11月.
資料番号 ED2020-13 
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64

研究会情報
研究会 LQE CPM ED  
開催期間 2020-11-26 - 2020-11-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2020-11-LQE-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O3 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ミスト CVD / Mist-CVD  
キーワード(2)(和/英) AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaN HEMT  
キーワード(3)(和/英) Al2O3絶縁膜 / Al2O3 insulator  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) ロー ルイ シャン / Low Rui Shan / ロー ルイ シャン
第1著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永瀬 樹 / Itsuki Nagase / ナガセ イツキ
第2著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) バラトフ アリ / Ali Baratov / バラトフ アリ
第3著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) アスバル ジョエル タクラ / Joel Tacla Asubar / アスバル ジョエル タクラ
第4著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ
第5著者 所属(和/英) 福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ
第6著者 所属(和/英) 関西学院大学 (略称: 関西学院大)
Kwansei Gakuin University (略称: Kwansei Gakuin Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ
第7著者 所属(和/英) 熊本大学 (略称: 熊本大)
Kumamoto University (略称: Kumamoto Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 内藤 健太 / Kenta Naito / ナイト ケンタ
第8著者 所属(和/英) 熊本大学 (略称: 熊本大)
Kumamoto University (略称: Kumamoto Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 本山 智洋 / Motoyama Tomohiro / モトヤマ トモヒロ
第9著者 所属(和/英) 熊本大学 (略称: 熊本大)
Kumamoto University (略称: Kumamoto Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 有水 / Yusui Nakamura / ナカムラ ユウスイ
第10著者 所属(和/英) 熊本大学 (略称: 熊本大)
Kumamoto University (略称: Kumamoto Univ.)
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講演者
発表日時 2020-11-26 15:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2020-13,IEICE-CPM2020-34,IEICE-LQE2020-64 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) 
ページ範囲 pp.49-52 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2020-11-19,IEICE-CPM-2020-11-19,IEICE-LQE-2020-11-19 


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