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| 講演名 | 2020-11-26 11:35 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 ○山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 |
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| 抄録 | （和） | 半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエネルギー変換効率の高い受光デバイスを目指し、有機金属気相成長法（MOCVD）を用いて、c面サファイア基板上にGaInN/GaN-多重量子井戸(MQW)を備えた受光素子構造をエピタキシャル成長させ、結晶評価及び分光感度測定、単色光照射下での電気特性の測定を行った。外部量子効率は波長382 nmで最大約74 %となり、入射光強度5 mW/cm2で波長382 nmの単色光照射下でI-V特性を測定したところ、短絡電流密度1.14 mA/cm2、開放電圧 2.23 V、変換効率約 32 %が得られた。シャント抵抗、シリーズ抵抗成分について課題が残るが、照射光強度の増大することで、開放電圧の向上が見られることからさらなる効率向上に期待が持てる。 |
| （英） | Aiming at a high-efficiency photodetectors for the optical wireless power transmission system consisting of semiconductor light-emitting devices and photodetectors, a photodetector epi-structure employing GaN/GaInN-MQWs was grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on c-plane sapphire. Then, the epitaxial structure, spectral sensitivity and photo-electrical characteristics were evaluated. The maximum external quantum efficiency (EQE) was measured to be 74% at a wavelength of 382 nm, and the short-circuit current density of 1.14 mA/cm2, open-circuit voltage of 2.23 V and energy conversion efficiency of 32% was obtained at a 382-nm-wavelength light irradiation with a light power of 5mW/cm2. While there still are a few issues regarding shunt and series resistances, further improvement in enegry efficiency might be obtained under higher-power light irradiation. | |
| キーワード | （和） | GaInN-MQW / MOCVD / / / / / / |
| （英） | GaInN-MQW / MOCVD / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-56, pp. 17-20, 2020年11月. | |
| 資料番号 | LQE2020-56 | |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM ED |
| 開催期間 | 2020-11-26 - 2020-11-27 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2020-11-LQE-CPM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of GaN-based photodetectors for optical wireless power transmission system |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN-MQW / GaInN-MQW |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 皓介 / Kosuke Yamamoto / ヤマモト コウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Pradip Dalapati / Pradip Dalapati / Pradip Dalapati |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-11-26 11:35:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2020-5, CPM2020-26, LQE2020-56 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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