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講演抄録/キーワード
講演名 2020-11-26 11:15
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
抄録 (和) 本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに組成傾斜による分極ドーピングについて検討を行った。サファイア基板上のc面GaN上にSi濃度約8 × 10^18 cm^-3を有した厚さ300nmのSiドープAlInNをほぼ格子整合して成長させた。伝送線路モデル(TLM)を応用した縦方向導電性評価を行ったところ、n-AlInNの縦方向抵抗率が5.8×10^-4 Ωcm^2となることを確認した。次に、c面GaN/サファイア上に目標膜厚100nmのMgドープAlInNを成長させたところ、約1.5 × 10^19 cm^-3の高いMg濃度をもった表面平坦なAlInN膜を得ることが出来た。また、分極効果による正孔生成を狙い、c面GaN/サファイア上に組成傾斜したAlInNを100nm成長したところ、InNモル分率の組成幅が0.14~0.19であって、温度依存性の小さい正孔伝導を示す組成傾斜AlInN膜を得ることができた。 
(英) In this study, we attempted the p/n conductivity control of epitaxial AlInN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by means of the impurity-doping of Si and Mg atoms and the polarization-doping. First, The Si-doped AlInN films with a Si concentration of approximately 8 × 10^18 cm^-3 with a thickness of 300 nm were grown nearly lattice-matched to c-plane GaN-on-sapphire templates. By using TLM method, the vertical direction resistivity of the 300-nm-thick n-type AlInN film was estimated to be 5.8×10^-4 Ωcm^2. Then, Mg doped AlInN films with a thickness of approximately 100 nm were grown on c-plane GaN-on-sapphire templates, the AlInN film showed a relative smooth surface at a high Mg concentration of approximately 1.5 × 10^19 cm^-3. Finally, graded AlInN films with a thickness of 100 nm were grown on c-plane GaN-on-sapphire templates, aiming at the generation of polarization-induced holes. It was confirmed that an AlInN film was grown with an InN molar fraction variation ranging from 0.14 to 0.19. The Hall effect measurement showed less temperature dependence of holes, which confirmed the generation of polarization-induced holes.
キーワード (和) n-AlInN / MgドープAlInN / 分極ドーピング / 組成傾斜AlInN / MOCVD / / /  
(英) n-type AlInN / Mg doped AlInN / polarization-doping / graded AlInN / MOCVD / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 256, LQE2020-55, pp. 13-16, 2020年11月.
資料番号 LQE2020-55 
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55

研究会情報
研究会 LQE CPM ED  
開催期間 2020-11-26 - 2020-11-27 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2020-11-LQE-CPM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on p/n conductivity control of epitaxial AlInN films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) n-AlInN / n-type AlInN  
キーワード(2)(和/英) MgドープAlInN / Mg doped AlInN  
キーワード(3)(和/英) 分極ドーピング / polarization-doping  
キーワード(4)(和/英) 組成傾斜AlInN / graded AlInN  
キーワード(5)(和/英) MOCVD / MOCVD  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中林 泰希 / Taiki Nakabayashi / ナカバヤシ タイキ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute Of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 華果 / Haruka Takada / タカダ ハルカ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute Of Technology (略称: NIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute Of Technology (略称: NIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三好 実人 / Makoto Miyoshi / ミヨシ マコト
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute Of Technology (略称: NIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
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講演者
発表日時 2020-11-26 11:15:00 
発表時間 20 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2020-4,IEICE-CPM2020-25,IEICE-LQE2020-55 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.254(ED), no.255(CPM), no.256(LQE) 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2020-11-19,IEICE-CPM-2020-11-19,IEICE-LQE-2020-11-19 


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