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講演抄録/キーワード
講演名 2020-11-19 15:20
[招待講演]裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出
國清辰也佐藤英則神野 健飯塚康治園田賢一郎山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2020-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-26
抄録 (和) 裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して,波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する技術を提案する.本論文の基本概念は,画素を金属遮光膜で覆わずにゲルマニウム層のシリコン層に対する量子効率の増分を利用して瞳分割をすることである.画素半分を金属遮光膜で覆う従来の瞳分割と同等な像面位相差検出が可能であることを3次元Finite-difference time-domain method (FDTD) 法による光学シミュレーションに基づいて実証する.画素ピッチ1.85μm,結晶Si層の厚さ約3μmの裏面照射型CMOS撮像画素において,厚さ200 nmのGe-on-Si層を受光面に選択的に配置した場合,入射角-30°から+30°の範囲の外部量子効率は,44.3~76.0 %に達した.提案技術は,低照度条件下でのオートフォーカスの精度向上に寄与することが期待される. 
(英) A novel phase-detection auto focus (PDAF) technique for incident 850 nm plane wave is demonstrated using Ge-on-Si layer and deep trench isolation (DTI), which are locally arranged on light receiving surface (LRS) of crystalline silicon (c-Si). No metal light shielding film (LSF) for pupil division is formed. The key concept of the present work for PDAF is to perform the pupil division by the locally arranged Ge-on-Si layer in a pixel according to incident angle. The present technique can enhance the accuracy of AF under low-illuminated condition.
キーワード (和) 像面位相差検出 / 近赤外線 / Ge-on-Si / CMOS撮像画素 / / / /  
(英) phase-detection auto focus / near infrared ray / Ge-on-Si / image sensor pixel / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 239, SDM2020-26, pp. 21-24, 2020年11月.
資料番号 SDM2020-26 
発行日 2020-11-12 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2020-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-26

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2020-11-19 - 2020-11-20 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A technique for phase-detection auto focus under near-infrared-ray incidence in a back-side illuminated CMOS image sensor pixel 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 像面位相差検出 / phase-detection auto focus  
キーワード(2)(和/英) 近赤外線 / near infrared ray  
キーワード(3)(和/英) Ge-on-Si / Ge-on-Si  
キーワード(4)(和/英) CMOS撮像画素 / image sensor pixel  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 國清 辰也 / Tatsuya Kunikiyo / クニキヨ タツヤ
第1著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 英則 / Hidenori Sato / サトウ ヒデノリ
第2著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 神野 健 / Takeshi Kamino /
第3著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯塚 康治 / Koji Iizuka / イイヅカ コウジ
第4著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 園田 賢一郎 / Ken'ichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ
第5著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita / トモヒロ ヤマシタ
第6著者 所属(和/英) ルネサス エレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-11-19 15:20:00 
発表時間 60分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2020-26 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.239 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数
発行日 2020-11-12 (SDM) 


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