講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-11-19 15:20
[招待講演]裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出 ○國清辰也・佐藤英則・神野 健・飯塚康治・園田賢一郎・山下朋弘(ルネサス エレクトロニクス) SDM2020-26 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-26 |
抄録 |
(和) |
裏面照射型CMOS撮像画素の受光面にGe-on-Si層を選択的に配置して,波長850 nmの入射光の像面位相差を検出する技術を提案する.本論文の基本概念は,画素を金属遮光膜で覆わずにゲルマニウム層のシリコン層に対する量子効率の増分を利用して瞳分割をすることである.画素半分を金属遮光膜で覆う従来の瞳分割と同等な像面位相差検出が可能であることを3次元Finite-difference time-domain method (FDTD) 法による光学シミュレーションに基づいて実証する.画素ピッチ1.85μm,結晶Si層の厚さ約3μmの裏面照射型CMOS撮像画素において,厚さ200 nmのGe-on-Si層を受光面に選択的に配置した場合,入射角-30°から+30°の範囲の外部量子効率は,44.3~76.0 %に達した.提案技術は,低照度条件下でのオートフォーカスの精度向上に寄与することが期待される. |
(英) |
A novel phase-detection auto focus (PDAF) technique for incident 850 nm plane wave is demonstrated using Ge-on-Si layer and deep trench isolation (DTI), which are locally arranged on light receiving surface (LRS) of crystalline silicon (c-Si). No metal light shielding film (LSF) for pupil division is formed. The key concept of the present work for PDAF is to perform the pupil division by the locally arranged Ge-on-Si layer in a pixel according to incident angle. The present technique can enhance the accuracy of AF under low-illuminated condition. |
キーワード |
(和) |
像面位相差検出 / 近赤外線 / Ge-on-Si / CMOS撮像画素 / / / / |
(英) |
phase-detection auto focus / near infrared ray / Ge-on-Si / image sensor pixel / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 239, SDM2020-26, pp. 21-24, 2020年11月. |
資料番号 |
SDM2020-26 |
発行日 |
2020-11-12 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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