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講演抄録/キーワード
講演名 2020-11-17 09:30
SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価
浦部孝樹新居浩二小林和淑京都工繊大VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30
抄録 (和) 本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路シミュレーションを行う. 結果, NV-SRAM の面積は SRAM と比べ 47% 増加するが, 動作速度は 1% 以内の増加に抑えることが可能である. NV-SRAM は待機時に電源を完全に OFF にすることが可能なので, 退避・復帰時に必要な電力を考慮しても, 動作時間の 15% 以上の待機時間があれば電力を削減可能である. 
(英) In this paper, we designed a layout of a nonvolatile SRAM memory using the SONOS Flash memory, and investigated its characteristics. As a result of circuit simulations, the area of NV-SRAM increases by 47% compared to SRAM, but the operating speed increases by less than 1%. Because NV-SRAM can be turned off during standby, so the power consumption
can be reduced if the standby time is 15% or more of the operating time.
キーワード (和) SRAM / 回路シミュレーション / 不揮発メモリ / BET / / / /  
(英) SRAM / Circuit Symulation / Nonvolatile memory / Break Even Time / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 235, ICD2020-31, pp. 1-5, 2020年11月.
資料番号 ICD2020-31 
発行日 2020-11-10 (VLD, ICD, DC, RECONF) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2020-11 ICD2020-31 DC2020-31 RECONF2020-30

研究会情報
研究会 VLD DC RECONF ICD IPSJ-SLDM  
開催期間 2020-11-17 - 2020-11-18 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) デザインガイア2020 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2020 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2020-11-VLD-DC-RECONF-ICD-SLDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of Nonvolatile SRAM Using SONOS Flash Cell and its Evaluation by Circuit Simulation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SRAM / SRAM  
キーワード(2)(和/英) 回路シミュレーション / Circuit Symulation  
キーワード(3)(和/英) 不揮発メモリ / Nonvolatile memory  
キーワード(4)(和/英) BET / Break Even Time  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦部 孝樹 / Takaki Urabe / ウラベ タカキ
第1著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 新居 浩二 / Koji Nii / ニイ コウジ
第2著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第3著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者
発表日時 2020-11-17 09:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-VLD2020-11,IEICE-ICD2020-31,IEICE-DC2020-31,IEICE-RECONF2020-30 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.234(VLD), no.235(ICD), no.236(DC), no.237(RECONF) 
ページ範囲 pp.1-5 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-VLD-2020-11-10,IEICE-ICD-2020-11-10,IEICE-DC-2020-11-10,IEICE-RECONF-2020-11-10 


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