講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-10-22 10:50
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 ○齊藤宏河・吉田彩乃・黒田理人(東北大)・柴田 寛・柴口 拓・栗山尚也(ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利(東北大) SDM2020-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-15 |
抄録 |
(和) |
本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは, 230fF/μm^2以上の容量密度, 9.0Vの耐圧, 低リーク電流を達成している. 本キャパシタ構造は3次元積層技術を用いることで, 様々な小型電子機器への応用が可能となる. |
(英) |
High capacitance density and High breakdown voltage textured deep trench SiN capacitors are presented. The developed capacitors achieved over 230fF/μm^2 capacitance density, 9.0V breakdown voltage and low leakage current. The capacitor has a structure that can be utilized for various compact electronic systems by using 3D integration technologies. |
キーワード |
(和) |
キャパシタ / 高容量 / 高耐圧 / SiN / 粗面トレンチ / 3次元積層 / / |
(英) |
Capacitor / High capacitance / High breakdown voltage / SiN / Textured deep trench / 3D integration / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 205, SDM2020-15, pp. 7-11, 2020年10月. |
資料番号 |
SDM2020-15 |
発行日 |
2020-10-15 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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