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講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-22 10:50
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発
齊藤宏河吉田彩乃黒田理人東北大)・柴田 寛柴口 拓栗山尚也ラピスセミコンダクタ宮城)・須川成利東北大SDM2020-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-15
抄録 (和) 本稿では高容量密度・高絶縁破壊耐圧を両立したSiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタについて報告する. 開発したキャパシタは, 230fF/μm^2以上の容量密度, 9.0Vの耐圧, 低リーク電流を達成している. 本キャパシタ構造は3次元積層技術を用いることで, 様々な小型電子機器への応用が可能となる. 
(英) High capacitance density and High breakdown voltage textured deep trench SiN capacitors are presented. The developed capacitors achieved over 230fF/μm^2 capacitance density, 9.0V breakdown voltage and low leakage current. The capacitor has a structure that can be utilized for various compact electronic systems by using 3D integration technologies.
キーワード (和) キャパシタ / 高容量 / 高耐圧 / SiN / 粗面トレンチ / 3次元積層 / /  
(英) Capacitor / High capacitance / High breakdown voltage / SiN / Textured deep trench / 3D integration / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 205, SDM2020-15, pp. 7-11, 2020年10月.
資料番号 SDM2020-15 
発行日 2020-10-15 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2020-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-15

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2020-10-22 - 2020-10-22 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High capacitance density high breakdown voltage textured deep trench SiN capacitors toward 3D integration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) キャパシタ / Capacitor  
キーワード(2)(和/英) 高容量 / High capacitance  
キーワード(3)(和/英) 高耐圧 / High breakdown voltage  
キーワード(4)(和/英) SiN / SiN  
キーワード(5)(和/英) 粗面トレンチ / Textured deep trench  
キーワード(6)(和/英) 3次元積層 / 3D integration  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 宏河 / Koga Saito / サイトウ コウガ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 彩乃 / Ayano Yoshida / ヨシダ アヤノ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 寛 / Hiroshi Shibata / シバタ ヒロシ
第4著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co.,Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴口 拓 / Taku Shibaguchi / シバグチ タク
第5著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co.,Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 栗山 尚也 / Naoya kuriyama / クリヤマ ナオヤ
第6著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ宮城株式会社 (略称: ラピスセミコンダクタ宮城)
LAPIS Semiconductor Miyagi Co.,Ltd. (略称: LAPIS Semiconductor Miyagi)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-10-22 10:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2020-15 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.205 
ページ範囲 pp.7-11 
ページ数
発行日 2020-10-15 (SDM) 


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