お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-22 15:20
強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析
今泉文伸仲田陸人小山高専SDM2020-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-20
抄録 (和) 強誘電体や圧電材料を用いたデバイス、センサは現在様々な分野で使用されているが、主材料として使われているPb(Zr,Ti)O3には鉛が含まれており、代替えの材料が求められている。本研究では鉛が含まれていない圧電材料であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、RFスパッタリング法を用いて成膜し基礎的な物性について調べた。また、基板にはBFOと格子定数のミスマッチングが少ないDyScO3(DSO)を用いた。DSOの格子定数はa=0.394nmであり、BFOの格子定数に非常に近い利点がある。成膜後は、400度から700度の温度範囲で結晶化の熱処理を行い、XRDで配向性を確認した。BFOは主に(110)配向で形成されており、さらに700度まで熱処理温度の上昇することで、(001)配向も出現していることが分かった。次にXPSを用いて2種類の結合(FeOとFe2O3)を確認した。DSO基板とBFOの密着性や剥離に関する問題は特にみられなかった。本研究で開発したBFOは、強誘電体や圧電体の各種デバイスの材料として利用できる可能性があることが分かった。 
(英) With the increasing use of Internet of Things in various domains, which has led to an increase in the number of sensors being installed, it is indispensable to develop environment friendly sensor modules. Correspondingly, we investigated the formation of BiFeO3 films as a lead-free ferroelectric material on DyScO3 substrate. Experiments were performed to analyze the film formation process via the sputtering method, followed by heat treatment. Consequently, a BiFeO3 film was formed with a single (110) orientation, and two types of bonds (FeO and Fe2O3) were observed. Additionally, no issues related to adhesion or peeling were found. Thus, the developed BiFeO3 film can be potentially used as a ferroelectric material in various devices.
キーワード (和) 圧電材料 / BiFeO3薄膜 / / / / / /  
(英) Piezoelectric material / BiFeO3 thin film / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 205, SDM2020-20, pp. 30-33, 2020年10月.
資料番号 SDM2020-20 
発行日 2020-10-15 (SDM) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2020-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-20

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2020-10-22 - 2020-10-22 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Lattice Matching and X-ray Structural Analysis of Ferroelectric Thin Film BiFeO3 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 圧電材料 / Piezoelectric material  
キーワード(2)(和/英) BiFeO3薄膜 / BiFeO3 thin film  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi / イマイズミ フミノブ
第1著者 所属(和/英) 小山工業高等専門学校 (略称: 小山高専)
National Institute of Technologoy, Oyama College (略称: NIT, Oyama College)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 仲田 陸人 / Rikuto Nakada / ナカダ リクト
第2著者 所属(和/英) 小山工業高等専門学校 (略称: 小山高専)
National Institute of Technologoy, Oyama College (略称: NIT, Oyama College)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第3著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2020-10-22 15:20:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2020-20 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.205 
ページ範囲 pp.30-33 
ページ数
発行日 2020-10-15 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会