講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-10-22 15:50
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 ○秋元 瞭・黒田理人(東北大)・寺本章伸(広島大)・間脇武蔵・市野真也・諏訪智之・須川成利(東北大) SDM2020-21 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2020-21 |
抄録 |
(和) |
本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数といったランダムテレグラフノイズ (RTN) を特徴づけるパラメータ(時定数、振幅)を, 様々なドレイン-ソース間電圧 (VDS) において抽出・解析した. 結果から,各バイアス条件で形成されたチャネルにおいて, ゲート幅が最小となる部分にあるトラップによるRTNが支配的であり, VDSが大きい時はソース側のトラップが最も影響力があることを明らかにした. この結果より, ドレイン-ソース方向のトラップの位置はRTN特性のVDS依存性によって推測できると考えられる. |
(英) |
In this work, temporal noise characteristics of 11520 MOSFETs were measured for each of rectangular and trapezoidal shaped gates, and characteristics of random telegraph noise (RTN), such as amplitude and time constants under various drain-to-source voltage (VDS) conditions were extracted and analyzed. It was found that RTN is dominated by traps at the minimum gate width in the channel formed under each of the operating bias conditions, and traps at the source side are most influential under a large VDS . The trap location along the drain-source direction is estimated by the VDS dependencies of RTN characteristics. |
キーワード |
(和) |
アレイテスト回路 / ドレイン-ソース間電圧 / ランダムテレグラフノイズ(RTN) / 台形トランジスタ / / / / |
(英) |
Array Test Circuit / Drain-to-Source Voltage / Random Telegraph Noise (RTN) / Trapezoidal Gate Transistor / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 120, no. 205, SDM2020-21, pp. 34-39, 2020年10月. |
資料番号 |
SDM2020-21 |
発行日 |
2020-10-15 (SDM) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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