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講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-22 15:50
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析
秋元 瞭黒田理人東北大)・寺本章伸広島大)・間脇武蔵市野真也諏訪智之須川成利東北大SDM2020-21
抄録 (和) 本研究では, 長方形と台形のゲートを有する, 各11520個のトランジスタのランダムノイズ特性を測定し, 振幅や時定数といったランダムテレグラフノイズ (RTN) を特徴づけるパラメータ(時定数、振幅)を, 様々なドレイン-ソース間電圧 (VDS) において抽出・解析した. 結果から,各バイアス条件で形成されたチャネルにおいて, ゲート幅が最小となる部分にあるトラップによるRTNが支配的であり, VDSが大きい時はソース側のトラップが最も影響力があることを明らかにした. この結果より, ドレイン-ソース方向のトラップの位置はRTN特性のVDS依存性によって推測できると考えられる. 
(英) In this work, temporal noise characteristics of 11520 MOSFETs were measured for each of rectangular and trapezoidal shaped gates, and characteristics of random telegraph noise (RTN), such as amplitude and time constants under various drain-to-source voltage (VDS) conditions were extracted and analyzed. It was found that RTN is dominated by traps at the minimum gate width in the channel formed under each of the operating bias conditions, and traps at the source side are most influential under a large VDS . The trap location along the drain-source direction is estimated by the VDS dependencies of RTN characteristics.
キーワード (和) アレイテスト回路 / ドレイン-ソース間電圧 / ランダムテレグラフノイズ(RTN) / 台形トランジスタ / / / /  
(英) Array Test Circuit / Drain-to-Source Voltage / Random Telegraph Noise (RTN) / Trapezoidal Gate Transistor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 205, SDM2020-21, pp. 34-39, 2020年10月.
資料番号 SDM2020-21 
発行日 2020-10-15 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2020-21

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2020-10-22 - 2020-10-22 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Drain-to-Source Voltage on Random Telegraph Noise Based on Statistical Analysis 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) アレイテスト回路 / Array Test Circuit  
キーワード(2)(和/英) ドレイン-ソース間電圧 / Drain-to-Source Voltage  
キーワード(3)(和/英) ランダムテレグラフノイズ(RTN) / Random Telegraph Noise (RTN)  
キーワード(4)(和/英) 台形トランジスタ / Trapezoidal Gate Transistor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋元 瞭 / Ryo Akimoto / アキモト リョウ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki / マワキ タケゾウ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 市野 真也 / Shinya Ichino / イチノ シンヤ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Thoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2020-10-22 15:50:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2020-21 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.205 
ページ範囲 pp.34-39 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2020-10-15 


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