お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-05 14:45
Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価
松下瑛介高村陽太スタットラー嘉也中川茂樹東工大MRIS2020-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2020-4
抄録 (和) ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金 Co_2FeSi(CFS)/MgO 二層膜における垂直磁気異方性の起源を調査した.磁化特性の CFS 膜厚依存性から,薄膜内部の寄与を表す垂直磁気異方性定数が膜厚 0.4 nm か ら 1.4 nm において全て正であり,0.7 nm 以下で急増したことがわかった.これらの試料の断面構造を走査透過型電子顕微鏡で観察すると,CFS 層は極薄膜においても結晶化していたが,膜厚 0.7 nm 前後で有意な差は観測されなかった.一方で,1.4 nm の極薄膜 CFS 層における積層方向の原子間隔が,格子整合性から予測されるものとは大きく 異なるものであった.さらに,CFS 層内の Si がバッファ層に拡散していることも確認し,形成された CFS が非化学量論組成であることを示唆する結果が得られた. 
(英) We investigated the origin of perpendicular magnetic anisotropy in full-Heusler alloy Co_2FeSi(CFS)/MgO bilayers in which CFS is expected as half-metallic ferromagnets. From analysis of CFS-thickness dependence of magnetic properties, the perpendicular magnetic anisotropy constant of the bulk contribution was found to be positive in a wide range of CFS-thickness from 0.4 nm to 1.4 nm and was drastically increased in less than 0.7 nm. The cross-sectional structures of these samples were observed by a scanning transmission electron microscope. Crystalized CFS layers were observed even in ultrathin film region. However, no significant difference was not observed in around 0.7 nm. Surprisingly, the atomic distance for out-of-plane direction was much larger in 1.4 nm thick CFS layer compared to calculated value based on the expected epitaxial relationship. In addition, the interdiffusion of Si was confirmed from CFS layers to buffer layers, suggesting non-stoichiometric composition of CFS layers.
キーワード (和) フルホイスラー合金 / ハーフメタル強磁性体 / 垂直磁気異方性 / 界面磁気異方性 / 走査透過型電子顕微鏡 / 微細構造評価 / /  
(英) Full-Heusler alloy / Half-metallic ferromagnet / Perpendicular magnetic anisotropy / Interfacial magnetic anisotropy / Scanning transmission electron microscope / Investigation of microstructure / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 180, MRIS2020-4, pp. 16-19, 2020年10月.
資料番号 MRIS2020-4 
発行日 2020-09-28 (MRIS) 
ISSN Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2020-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2020-4

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2020-10-05 - 2020-10-05 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般 
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2020-10-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of perpendicular magnetic anisotropy in Co2FeSi/MgO bilayers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フルホイスラー合金 / Full-Heusler alloy  
キーワード(2)(和/英) ハーフメタル強磁性体 / Half-metallic ferromagnet  
キーワード(3)(和/英) 垂直磁気異方性 / Perpendicular magnetic anisotropy  
キーワード(4)(和/英) 界面磁気異方性 / Interfacial magnetic anisotropy  
キーワード(5)(和/英) 走査透過型電子顕微鏡 / Scanning transmission electron microscope  
キーワード(6)(和/英) 微細構造評価 / Investigation of microstructure  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 瑛介 / Eisuke Matsushita / マツシタ エイスケ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) スタットラー 嘉也 / Yoshiya Stutler / スタットラー ヨシヤ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2020-10-05 14:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MRIS2020-4 
巻番号(vol) vol.120 
号番号(no) no.180 
ページ範囲 pp.16-19 
ページ数
発行日 2020-09-28 (MRIS) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会