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講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-05 14:20
SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究
浦下宗輝小野澤 隼北川涼太冨田誠人春本高志史 蹟中村吉男高村陽太中川茂樹東工大MRIS2020-3
抄録 (和) 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)の不揮発性記憶素子である磁気トンネル接合素子(MTJ)においては,磁化反転時に必要な電流密度と情報の熱安定性の間にはトレードオフ関係が存在する.我々は,この関係を打破し消費電力をさらに下げられるデバイスとして,負の超磁歪を持つSmFe2薄膜をフリー層に用いたMTJと,その周囲に形成した圧電体から成る圧力印加構造で構成されるピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合(PE-MTJ)を提案している.本発表では,デバイスプロセス中に大気暴露されるSmFe2円柱の側面が酸化されることを円柱の磁化特性の直径依存性から明らかにした.また,面内磁化型SmFe2を記憶磁性層に含むMTJを試作し,磁化の平行/反平行状態およびトンネル伝導特性を確認した. 
(英) In magnetic tunnel junctions (MTJs) for magnetoresistive random access memory, a trade-off relationship between the critical current density for magnetization reversal and the thermal stability of the free layer exist. To overcome this tradeoff relationship, we have proposed a piezo-electronic magnetic tunnel junctions (PE-MTJ) consisting of a MTJ using a SmFe2 free layer with negative giant magnetostriction and a pressurized structure composed of a piezoelectric material and metal electrode. In this report, we discuss potential issues in device processing to fabricate MTJ using SmFe2 thin film and report the experimental results of fabricated MTJs. According to magnetic properties for the piler with various diameter, the side of SmFe2 pilers slightly got oxidized by exposure to the air after etching process. The MTJs showed parallel/anti-parallel magnetic configuration and tunneling transport behavior.
キーワード (和) 磁歪 / 逆磁歪効果 / 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ / MRAM / / / /  
(英) Magnetostriction / Inverse magnetostriction effect / Magnetoresistive random access memory / MRAM / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 180, MRIS2020-3, pp. 12-15, 2020年10月.
資料番号 MRIS2020-3 
発行日 2020-09-28 (MRIS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード MRIS2020-3

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2020-10-05 - 2020-10-05 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般 
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2020-10-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SmFe2超磁歪薄膜を用いたピエゾエレクトロニック・磁気トンネル接合素子の最近の研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Recent progress on piezo-electronic magnetoresistive devices using giant magnetostrictive SmFe2 thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 磁歪 / Magnetostriction  
キーワード(2)(和/英) 逆磁歪効果 / Inverse magnetostriction effect  
キーワード(3)(和/英) 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ / Magnetoresistive random access memory  
キーワード(4)(和/英) MRAM / MRAM  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦下 宗輝 / Soki Urashita / ウラシタ ソウキ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野澤 隼 / Hayato Onozawa / オノザワ ハヤト
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 北川 涼太 / Ryota Kitagawa / キタガワ リョウタ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨田 誠人 / Masato Tomita / トミタ マサト
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 春本 高志 / Takashi Harumoto / ハルモト タカシ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 史 蹟 / Ji Shi / シ ジ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 吉男 / Yoshio Nakamura / ナカムラ ヨシオ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa / ナカガワ シゲキ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of technology (略称: Tokyo Tech.)
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講演者
発表日時 2020-10-05 14:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MRIS2020-3 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.180 
ページ範囲 pp.12-15 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-MRIS-2020-09-28 


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