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講演抄録/キーワード
講演名 2020-09-28 14:50
ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響
木原流唯早大)・高柳真司同志社大)・柳谷隆彦早大US2020-36
抄録 (和) 広帯域なBAWフィルタへの応用を目指して、大きな電気機械結合係数をもつScAlN圧電薄膜が注目されている。Scは酸化しやすく、精製時に炭素の不純物が混入しやすい。そのため、スパッタリングによるScAlN薄膜成長時にO- やCN- の負イオンとなって基板に照射される。これらの負イオンは圧電薄膜の電気機械結合係数や結晶配向性に影響を及ぼす。そこで本研究では、様々なScAlターゲット(アーク溶融ScAl合金、焼結ScAl合金、電子ビーム溶融ScAl合金、Al金属円板にSc粒を置いたもの、Al金属円板にSc粒を埋め込んだもの)から生じる負イオンを四重極質量分析計付きエネルギーアナライザによって測定し、さらに、成長させたScAlN圧電薄膜の電気機械結合係数や結晶配向性を評価した。各種ScAlターゲットから生じる負イオンの量には違いが見られ、圧電性や結晶配向性に影響を及ぼすことがわかった。 
(英) ScAlN thin films with large electromechanical coupling coefficient have been attracting attention for the application to wideband BAW filters. Sc ingots usually contain oxygen and carbon impurities. Therefore, this result in the O- and CN- negative ions irradiation to the substrate during the sputtering process. These negative ions irradiation would affect the crystal orientation and electromechanical coupling coefficient, kt2 of the piezoelectric thin films. In this study, the negative ions generated from various ScAl sputtering targets were measured. Crystal orientation and kt2 of ScAlN thin films were investigated. We showed that the difference in the intensity of the negative ions generated from each target affects crystal orientation and kt2.
キーワード (和) ScAlN / 圧電薄膜 / ScAlスパッタターゲット / 負イオン照射 / / / /  
(英) ScAlN / Piezoelectric thin film / ScAl sputtering target / Negative ion irradiation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 120, no. 174, US2020-36, pp. 51-56, 2020年9月.
資料番号 US2020-36 
発行日 2020-09-21 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2020-36

研究会情報
研究会 US  
開催期間 2020-09-28 - 2020-09-28 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) 一般(共催:東北大学電気通信研究所 超音波エレクトロニクス研究会、日本超音波医学会光超音波画像研究会、レーザー学会光音響イメージング技術専門委員会) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2020-09-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ScAlスパッタターゲットから生じる負イオンがScAlN圧電薄膜の結晶配向性や電気機械結合係数に及ぼす影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of negative ions generated from ScAl sputtering targets on kt2 and crystal orientation of ScAlN thin films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ScAlN / ScAlN  
キーワード(2)(和/英) 圧電薄膜 / Piezoelectric thin film  
キーワード(3)(和/英) ScAlスパッタターゲット / ScAl sputtering target  
キーワード(4)(和/英) 負イオン照射 / Negative ion irradiation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木原 流唯 / Rui Kihara / キハラ ルイ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高柳 真司 / Shinji Takayanagi / タカヤナギ シンジ
第2著者 所属(和/英) 同志社大学 (略称: 同志社大)
Doshisha University (略称: Doshisha Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者
発表日時 2020-09-28 14:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 US 
資料番号 IEICE-US2020-36 
巻番号(vol) IEICE-120 
号番号(no) no.174 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-US-2020-09-21 


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