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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-08-07 09:30 ［招待講演］シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 ○岡 博史・松川 貴・加藤公彦・飯塚将太・水林 亘・遠藤和彦・安田哲二・森 貴洋（産総研）  SDM2020-6 ICD2020-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-6 ICD2020-6 |
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| 抄録 | （和） | シリコン量子コンピューターは半導体微細加工技術を用いた量子ビットの大規模集積化に大きな期待が寄せられている。高性能なシリコン量子コンピューターの実現には、シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間を改善する必要がある。コヒーレンス時間は電荷ノイズが制約条件となっているが、量子ビットの動作環境である極低温下で生じる電荷ノイズの起源を解明されていない。本論文ではノイズの観点からシリコンスピン量子ビットの課題を概観し、性能を制限する極低温ノイズの起源に迫るためのアプローチを紹介する。 |
| （英） | Si quantum computer has attracted a significant attention due to its potential for large-scale integration using semiconductor manufacturing technology. In order to develop the Si quantum computer, it is necessary to improve the coherence-time of Si spin qubit. The coherence-time of Si spin qubit is limited by charge noise. However, the origin of charge noise generated at cryogenic temperature, which is the operating temperature of Si spin qubit, has not been clarified. This paper reviews the technological challenges of Si spin qubit in terms of noise and reports our recent results to reveal the origin of cryogenic noise that limits the performance of Si quantum computer. | |
| キーワード | （和） | シリコン量子コンピューター / スピン量子ビット / 極低温 / 低周波ノイズ / クライオCMOS / / / |
| （英） | Si quantum computer / Spin qubit / Cryogenic temperature / Low-frequency noise / Cryo-CMOS / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 120, no. 126, SDM2020-6, pp. 25-30, 2020年8月. | |
| 資料番号 | SDM2020-6 | |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2020-6 ICD2020-6 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2020-6 ICD2020-6 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM ITE-IST |
| 開催期間 | 2020-08-06 - 2020-08-07 |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2020-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Understanding the Origin of Low-frequency Noise in Cryo-CMOS Toward Long-coherence-time Si Spin Qubit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン量子コンピューター / Si quantum computer |
| キーワード(2)（和/英） | スピン量子ビット / Spin qubit |
| キーワード(3)（和/英） | 極低温 / Cryogenic temperature |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波ノイズ / Low-frequency noise |
| キーワード(5)（和/英） | クライオCMOS / Cryo-CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松川 貴 / Takashi Matsukawa / マツカワ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 将太 / Shota Iizuka / イイヅカ ショウタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水林 亘 / Wataru Mizubayashi / ミズバヤシ ワタル |
| 第5著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 和彦 / Kazuhiko Endo / エンドウ カズヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 哲二 / Tetsuji Yasuda / ヤスダ テツジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-08-07 09:30:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2020-6, ICD2020-6 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | no.126(SDM), no.127(ICD) |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2020-07-30 (SDM, ICD) |
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