講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-02-26 14:35
メモリ搭載LSIに対するロジック部の消費電力解析に関する研究 ○児玉優也・宮瀬紘平・高藤大輝・温 暁青・梶原誠司(九工大) DC2019-93 |
抄録 |
(和) |
LSIのテスト時は,通常動作時と比べて消費電力が大きくなる.過度なIRドロップは,過度な遅延値を引き起こし,特に実速度テストの誤テストの原因になる.誤テストにより,歩留まりが低下してしまうので,テスト時の消費電力の削減と評価が重要になってくる.過度なIRドロップは,回路全体ではなく一部のエリアで発生することが多く,過度なIRドロップが発生するエリアを特定することが重要となる.一般的なLSIにはメモリが搭載されているが,学術利用されているベンチマーク回路には搭載されていない場合が多い.本稿では,様々な形状や大きさのメモリを設計した回路に対して高消費電力エリアを特定する. |
(英) |
Power consumption during LSI testing is higher than functional mode. Excessive IR-drop causes excessive delay, resulting in over-testing in particular for at-speed testing. Over-testing is directly related to yield loss. Therefore, test power reduction and efficient power analysis is required. Since excessive IR-drop does not occur in whole area of LSI, locating an area with high IR-drop is very important. Although an LSI includes memory design in general, academic version of benchmark logic circuits does not have memories.In this work, we analyze power consumption for a logic part of LSI including memory design. |
キーワード |
(和) |
実速度テスト / テスト時の消費電力 / IR-Drop / 誤テスト / 消費電力解析 / / / |
(英) |
at-speed testing / test power / IR-drop / over-testing / power analysis / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 420, DC2019-93, pp. 43-48, 2020年2月. |
資料番号 |
DC2019-93 |
発行日 |
2020-02-19 (DC) |
ISSN |
Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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DC2019-93 |