講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-02-07 14:55
[招待講演]異種デバイスの高密度実装用極薄接合材料 ○茅場靖剛・中村雄三・鎌田 潤・河関孝志・高村一夫(三井化学) SDM2019-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-95 |
抄録 |
(和) |
Cu-Cu接合を用いた異種デバイス実装用の新規極薄接合材料の開発を行った。本接合材料は熱硬化後にSiO2、SiN、SiCN等の無機膜と接合可能である特徴を有する。熱硬化後に接合可能である事により、接合材料が形成されたSiチップをSiウェハ上に接合材料由来の位置ずれ無く高精度で配置可能であり、かつSiチップ同士を狭ギャップで配置可能であった。更に、Cu-Cu接合を介したチップ積層においても、ボイド等の異常無く接合材料として適応可能であった。 |
(英) |
A new thin bonding material was developed for the heterogeneous device chip integration by Cu-Cu hybrid bonding. The bonding material was temporally bondable to SiO2, SiN and SiCN at room temperature and it was permanently bondable after 200 ˚C baking. By using this bonding material, Si chip was bondable to Si wafer with no thermal sliding in micrometer range. Cu-Cu hybrid bonding with no void was also shown. |
キーワード |
(和) |
異種デバイス集積 / 3次元積層 / 2.5次元積層 / Cu-Cu接合 / / / / |
(英) |
Heterogeneous integration / 3D stacking / 2.5D stacking / Cu-Cu hybrid bonding / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 410, SDM2019-95, pp. 31-34, 2020年2月. |
資料番号 |
SDM2019-95 |
発行日 |
2020-01-31 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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