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講演抄録/キーワード
講演名 2020-02-07 11:20
[招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術
藤川 誠山口達也TTS)・菊地裕樹前川 薫TEL Technology Center, America)・河崎洋章・○飯塚洋二東京エレクトロンSDM2019-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-92
抄録 (和) Abstract— Plasma induced damage on porous low-k dielectrics is a critical issue to lower the interconnect RC delay in the latest and upcoming highly dense integrated circuits. In order to reduce the exposure the low-k material to plasma, a novel volatile material, which can be removed simply by thermal energy is developed [1]-[7]. Utilizing this film as temporary sealing plug, it can protect the low-k dielectrics from being exposed to plasma during upcoming ashing processes, and furthermore. It can be removed easily without additional damage. In this paper, we demonstrate the effect of the volatile material by examining its filling property, electrical characteristics and reliability on the test pattern. 
(英) Abstract— Plasma induced damage on porous low-k dielectrics is a critical issue to lower the interconnect RC delay in the latest and upcoming highly dense integrated circuits. In order to reduce the exposure the low-k material to plasma, a novel volatile material, which can be removed simply by thermal energy is developed [1]-[7]. Utilizing this film as temporary sealing plug, it can protect the low-k dielectrics from being exposed to plasma during upcoming ashing processes, and furthermore. It can be removed easily without additional damage. In this paper, we demonstrate the effect of the volatile material by examining its filling property, electrical characteristics and reliability on the test pattern.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Volatile material / Thermal removal / Plug material / Porous low-k material / Plasma damage / Ashing / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 410, SDM2019-92, pp. 21-23, 2020年2月.
資料番号 SDM2019-92 
発行日 2020-01-31 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-92

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2020-02-07 - 2020-02-07 
開催地(和) 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) 
開催地(英) Tokyo University-Hongo 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2020-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高精度デュアルダマシン加工技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Novel Volatile Film for Precise Dual Damascene Fabrication 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Volatile material  
キーワード(2)(和/英) / Thermal removal  
キーワード(3)(和/英) / Plug material  
キーワード(4)(和/英) / Porous low-k material  
キーワード(5)(和/英) / Plasma damage  
キーワード(6)(和/英) / Ashing  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤川 誠 / Makoto Fujikawa / フジカワ マコト
第1著者 所属(和/英) 東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社 (略称: TTS)
Tokyo Electron Technology Solutions Inc. (略称: TTS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 達也 / Tatsuya Yamaguchi / ヤマグチ タツヤ
第2著者 所属(和/英) 東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ株式会社 (略称: TTS)
Tokyo Electron Technology Solutions Inc. (略称: TTS)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地 裕樹 / Yuki Kikuchi / キクチ ユウキ
第3著者 所属(和/英) TEL Technology Center America LLC (略称: TEL Technology Center, America)
TEL Technology Center America LLC (略称: TTCA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 前川 薫 / Kaoru Maekawa / マエカワ カオル
第4著者 所属(和/英) TEL Technology Center America LLC (略称: TEL Technology Center, America)
TEL Technology Center America LLC (略称: TTCA)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 河崎 洋章 / Hiroaki Kawasaki / カワサキ ヒロアキ
第5著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: TEL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 飯塚 洋二 / Yoji Iizuka / イイヅカ ヨウジ
第6著者 所属(和/英) 東京エレクトロン株式会社 (略称: 東京エレクトロン)
Tokyo Electron Limited (略称: TEL)
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講演者 第6著者 
発表日時 2020-02-07 11:20:00 
発表時間 35分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2019-92 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.410 
ページ範囲 pp.21-23 
ページ数
発行日 2020-01-31 (SDM) 


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