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| 講演名 | 2020-01-31 11:45 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 ○堀切文正・福原 昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大）  ED2019-98 MW2019-132 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-98 MW2019-132 |
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| 抄録 | （和） | GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエッチングでは電気化学セルを構成する必要があるが、電解液に酸化剤を混ぜる事で、UV照射下において試料を電解液に浸すだけのシンプルなエッチングとする事ができる。今回、半絶縁SiC基板上HEMTデバイスのリセス加工へ応用した事例を報告する。 |
| （英） | Photoelectrochemical (PEC) etching is a promising technology for fabricating GaN devices with low damage. In the simple contactless PEC etching process including K2S2O8 to the electrolyte as an oxidizing agent, a sample is dipped into an electrolyte under UV irradiation. The oxidizing agent consumes photo-generated extra electrons, however, the details in the contactless PEC etching of epi grown on semi-insulating substrate was not clear. In this study, we describes that cathode design of the GaN HEMT epi sample for applying the simple contactless PEC etching to gate-recess process. | |
| キーワード | （和） | GaN / 電気化学 / エッチング / リセス加工 / / / / |
| （英） | GaN / Electrochemical / Etching / Recess process / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 408, ED2019-98, pp. 25-28, 2020年1月. | |
| 資料番号 | ED2019-98 | |
| 発行日 | 2020-01-24 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-98 MW2019-132 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-98 MW2019-132 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2020-01-31 - 2020-01-31 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 地下3階6号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2020-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simple Photoelectrochemical Etching for Recess Gate GaN HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 電気化学 / Electrochemical |
| キーワード(3)（和/英） | エッチング / Etching |
| キーワード(4)（和/英） | リセス加工 / Recess process |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri / ホリキリ フミマサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福原 昇 / Noboru Fukuhara / フクハラ ノボル |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi / トグチ マサチカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三輪 和希 / Kazuki Miwa / ミワ カズキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 成田 好伸 / Yoshinobu Narita / ナリタ ヨシノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市川 磨 / Osamu Ichikawa / イチカワ オサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 磯野 僚多 / Ryota Isono / イソノ リョウタ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 丈士 / Takeshi Tanaka / タナカ タケシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス (略称： サイオクス) SCIOCS Company Ltd. (略称： SCIOCS) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第9著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokaido Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-01-31 11:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2019-98, MW2019-132 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.408(ED), no.409(MW) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-24 (ED, MW) |
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