講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-01-31 16:00
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 ○南雲謙志・木本大幾・諏訪智之(東北大)・寺本章伸(広島大)・白田理一郎・高谷信一郎(国立交通大)・黒田理人・須川成利(東北大) ED2019-104 MW2019-138 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-104 MW2019-138 |
抄録 |
(和) |
ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)について報告する.注入ゲートの導入によって従来Floating Gate型の課題であった電荷注入の際のゲート絶縁膜へのダメージを回避できるだけでなく,電荷注入によって閾値ばらつきを抑制できる.本稿では,この新規構造に関する回路モデル化,数値計算による構造設計によって本構造の有用性を示す. |
(英) |
We report a GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) with floating gate, that has an additional injection gate for charge injection as a structure to achieve normally-off. The introduction of the injection gate not only avoids damage to the gate insulation film at the period of charge injection, which was a problem of conventional HEMT devices with floating gate, but also suppresses threshold voltage-variation by the charge injection. We show the usefulness of this structure by circuit modeling of this new structure and structural design by numerical calculation. |
キーワード |
(和) |
GaN / ノーマリオフ / Floating Gate / 高電子移動度トランジスタ / 構造設計 / 注入ゲート / / |
(英) |
GaN / Normally-off / Floating Gate / HEMT / structural design / Injection Gate / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 408, ED2019-104, pp. 55-58, 2020年1月. |
資料番号 |
ED2019-104 |
発行日 |
2020-01-24 (ED, MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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