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講演抄録/キーワード
講演名 2020-01-31 16:00
注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造
南雲謙志木本大幾諏訪智之東北大)・寺本章伸広島大)・白田理一郎高谷信一郎国立交通大)・黒田理人須川成利東北大ED2019-104 MW2019-138
抄録 (和) ノーマリオフを達成する構造として従来のFloating Gate型に新たに電荷注入用の注入ゲートを設けた構造のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)について報告する.注入ゲートの導入によって従来Floating Gate型の課題であった電荷注入の際のゲート絶縁膜へのダメージを回避できるだけでなく,電荷注入によって閾値ばらつきを抑制できる.本稿では,この新規構造に関する回路モデル化,数値計算による構造設計によって本構造の有用性を示す. 
(英) We report a GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) with floating gate, that has an additional injection gate for charge injection as a structure to achieve normally-off. The introduction of the injection gate not only avoids damage to the gate insulation film at the period of charge injection, which was a problem of conventional HEMT devices with floating gate, but also suppresses threshold voltage-variation by the charge injection. We show the usefulness of this structure by circuit modeling of this new structure and structural design by numerical calculation.
キーワード (和) GaN / ノーマリオフ / Floating Gate / 高電子移動度トランジスタ / 構造設計 / 注入ゲート / /  
(英) GaN / Normally-off / Floating Gate / HEMT / structural design / Injection Gate / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 408, ED2019-104, pp. 55-58, 2020年1月.
資料番号 ED2019-104 
発行日 2020-01-24 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2019-104 MW2019-138

研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2020-01-31 - 2020-01-31 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階6号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2020-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 注入ゲート導入型ノーマリオフFloating Gate GaN HEMTの動作原理と構造 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Operation Principle and Structure of normally-off Floating Gate GaN HEMT with Injection Gate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) ノーマリオフ / Normally-off  
キーワード(3)(和/英) Floating Gate / Floating Gate  
キーワード(4)(和/英) 高電子移動度トランジスタ / HEMT  
キーワード(5)(和/英) 構造設計 / structural design  
キーワード(6)(和/英) 注入ゲート / Injection Gate  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 南雲 謙志 / Nagumo Kenshi / ナグモ ケンシ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木本 大幾 / Kimoto Daiki / キモト ダイキ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Suwa Tomoyuki / スワ トモユキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Teramoto Akinobu / テラモト アキノブ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 白田 理一郎 / Shirota Riichiro / シロタ リイチロウ
第5著者 所属(和/英) 国立交通大学 (略称: 国立交通大)
National Chiao Tung University (略称: NCTU)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 高谷 信一郎 / Tskatani Shinichiro / タカタニ シンチロウ
第6著者 所属(和/英) 国立交通大学 (略称: 国立交通大)
National Chiao Tung University (略称: NCTU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Kuroda Rihito / クロダ リヒト
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Sugawa Shigetoshi / スガワ シゲトシ
第8著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者
発表日時 2020-01-31 16:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2019-104,IEICE-MW2019-138 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.408(ED), no.409(MW) 
ページ範囲 pp.55-58 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2020-01-24,IEICE-MW-2020-01-24 


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