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講演抄録/キーワード
講演名 2020-01-31 10:30
[招待講演]5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望
井上和孝住友電工ED2019-96 MW2019-130 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-96 MW2019-130
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文献情報 信学技報, vol. 119, no. 408, ED2019-96, pp. 17-20, 2020年1月.
資料番号 ED2019-96 
発行日 2020-01-24 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 ED MW  
開催期間 2020-01-31 - 2020-01-31 
開催地(和) 機械振興会館 地下3階6号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2020-01-ED-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 5G基地局向けGaN HEMT開発の現状と展望 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Current Status and Perspectives of GaN HEMT Power Amplifiers for 5G Base Stations 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 和孝 / Kazutaka Inoue / イノウエ カズタカ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: SEI)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-01-31 10:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2019-96, MW2019-130 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.408(ED), no.409(MW) 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2020-01-24 (ED, MW) 


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