講演抄録/キーワード |
講演名 |
2020-01-23 13:45
[ポスター講演]シリコン上に膜形成可能なシリコン硫化物蛍光体の研究 中村裕貴・青野瑞樹・○奥野剛史(電通大)・七井 靖(青学大) エレソ技報アーカイブはこちら |
抄録 |
(和) |
亜鉛を含んだ新しいシリコン硫化物蛍光体SrZnSiS4:Eu2+ を報告する.直方晶系(斜方晶系)Fddd (no.70) の空間群に属し,Eu2+ の5d14f6-4f7 遷移による緑色発光が生じる.発光のピーク波長は500 nm,半値全幅は44 nm,内部量子効率は31% である.シリコン基板上に,硫黄蒸気下での原子移動を介して膜形成することができる.電子線励起により,光励起の場合と同じ緑色発光が生じることがわかった.また,単斜晶系P21/m (no.11) に属するSr2SiS4:Eu2+,Nd3+ では,緑色の残光が1000 s 以上にわたって生じる.緑色の蛍光は紫外光および青色光の励起により生じる一方,残光は紫外光のみでえられる.Sr2SiS4:Eu2+,Nd3+ 中のEu2+ の配置には2種類あり,片方のみで残光をもたらすエネルギー蓄積が起こっていると考えられる. |
(英) |
New green phosphor SrZnSiS4:Eu2+ is reported. It has an orthorhombic structure with a space group of Fddd (no.70). Absorption of the 4f7-5d14f6 transition of Eu2+ appears in the region between 300 and 480 nm, and luminescence occurs at 500 nm from the phosphor powder. The full width at half maximum is 44 nm, and the internal quantum efficiency is 31%. The intensity of photoluminescence at 200oC is preserved as 66% of that at 20oC. The SrZnSiS4:Eu2+ layer is synthesized on a silicon substrate through atomic exchange of silicon under sulfur vapor atmosphere. The green photoluminescence and cathodeluminescence which are the same as that from the powder are obtained from the layer. Si2SiS4:Eu2+,Nd3+ phosphor powder having a space group of P21/m (no.11) shows green afterglow longer than 1000 s. Excitation-wavelength dependence of the afterglow is carefully studied. |
キーワード |
(和) |
蛍光体 / シリコン硫化物 / ユーロピウム / 残光 / / / / |
(英) |
Phosphor / Thiosilicate / Europium / Afterglow / / / / |
文献情報 |
信学技報 |
資料番号 |
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発行日 |
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ISSN |
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