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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2020-01-17 13:15 ［ポスター講演］Design of single flux quantum highly-integrated memory cell and its application to lookup table ○Takuya Hosoya・Yuki Yamanashi・Nobuyuki Yoshikawa（Yokohama Natl. Univ.）  SCE2019-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2019-43 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではSFQ回路を用いたルックアップテーブルの高集積化を目標としている。1-bitのメモリセルである非破壊読み出し型フリップフロップ(non-destructive read-out: NDRO) に磁気結合構造を持たせ、外部からの直流電流によって内部状態を制御できる機能を持つメモリセルの設計を行った。このメモリセルを二次元配列状に並べてx,y方向に直流電流を印加することによってメモリアレイのデータを書き換えることができる。これをルックアップテーブルに応用するとメモリデータの書き換えは直流電流による制御のため低速になるがデータ伝搬のための受動配線(Passive Transmission Line: PTL) が不要となり回路面積を削減することができる。設計したメモリセルの動作実証を行い、十分な動作マージンを確認した。 |
| （英） | This study focuses on a look-up table (LUT) based on a single flux quantum (SFQ) logic circuit. To realize highly-integrated SFQ LUT, we designed a new memory cell, data input of which is performed by applying dc-currents coupled to the cell. We can write the data to the selected memory cell in the 2-D memory cell array by applying both the x- and y-directional dc-currents. The memory cell is an SFQ non-destructive read-out flip-flop (NDRO) with magnetically-coupled data-input structure. Thought data writing and resetting of the designed memory cell are slow, we can implement the highly-integrated LUT using the memory cell because the wiring for the data-input and data-resetting can be drastically simplified compared to the conventional SFQ LUT that used many passive transmission lines(PTL) for data-input and initializing the data stored in the memory cells. We experimentally confirmed the correct operation of designed memory cell with enough bias margin. | |
| キーワード | （和） | 単一磁束量子回路 / メモリセル / ルックアップテーブル / / / / / |
| （英） | SFQ logic circuit / memory cell / lookup table / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 369, SCE2019-43, pp. 57-60, 2020年1月. | |
| 資料番号 | SCE2019-43 | |
| 発行日 | 2020-01-09 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2019-43 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2019-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2020-01-16 - 2020-01-17 |
| 開催地（和） | 横浜市開港記念会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 超伝導エレクトロニクス一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2020-01-SCE |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of single flux quantum highly-integrated memory cell and its application to lookup table |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一磁束量子回路 / SFQ logic circuit |
| キーワード(2)（和/英） | メモリセル / memory cell |
| キーワード(3)（和/英） | ルックアップテーブル / lookup table |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細谷 岳哉 / Takuya Hosoya / ホソヤ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokomaha National University (略称： Yokohama Natl. Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山梨 裕希 / Yuki Yamanashi / ヤマナシ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokomaha National University (略称： Yokohama Natl. Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉川 信行 / Nobuyuki Yoshikawa / ヨシカワ ノブユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 横浜国立大学 (略称： 横浜国大) Yokomaha National University (略称： Yokohama Natl. Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2020-01-17 13:15:00 |
| 発表時間 | 135分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2019-43 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.369 |
| ページ範囲 | pp.57-60 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-01-09 (SCE) |
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