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講演抄録/キーワード
講演名 2019-12-24 13:25
SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価
古川暢昭上沼睦典石河泰明浦岡行治奈良先端大EID2019-5 SDM2019-80
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 119, no. 356, SDM2019-80, pp. 1-4, 2019年12月.
資料番号 SDM2019-80 
発行日 2019-12-17 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード EID2019-5 SDM2019-80

研究会情報
研究会 SDM EID ITE-IDY  
開催期間 2019-12-24 - 2019-12-24 
開催地(和) 奈良先端大(物質領域 大講義室) 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ(英) Semiconductor Material Process and Device Meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-12-SDM-EID-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SiO2/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluate interface charges and bulk oxide charges on SiO2/GaN MOS structure before and after post-metallization annealing 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 暢昭 / Masaaki Furukawa / フルカワ マサアキ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2019-12-24 13:25:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2019-5,IEICE-SDM2019-80 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.355(EID), no.356(SDM) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2019-12-17,IEICE-SDM-2019-12-17 


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