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講演抄録/キーワード
講演名 2019-12-23 16:45
歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
抄録 (和) 我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製したAl0.25In0.75Sb/InSb HEMTと比較し,歪みAl0.40In0.60Sb/ Al0.25In0.75Sbステップバッファを導入し,高Al組成のAl0.40In0.60Sbバリアを用いた新しい構造によって,比較的高い電子移動度を維持したままシートキャリア濃度を増加させることが出来た.その結果,GaInSb n-チャネルHEMTについて,ゲート長Lg = 40 nmの場合に遮断周波数fT = 214 GHz,Lg = 200 nmの場合に最大発振周波数fmax = 179 GHzが得られた.更に本構造によって,ゲートリーク電流を低減させることにも成功した. 
(英) We succeeded in fabricating GaInSb n-channel HEMTs for the first time in the world and measured their characteristics. We used strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb stepped buffer and AlInSb barrier layer with high Al content. As a result, the sheet electron density NS increases while keeping relatively high electron mobility µ compared with the Al0.25In0.75Sb/InSb HEMT which we fabricated previously. We obtained a cutoff frequency fT of 214 GHz for the 40-nm-gate HEMT and a maximum oscillation frequency fmax of 179 GHz for the 200-nm-gate HEMT. Furthermore, this novel GaInSb HEMT structure contributes to the reduction of gate leakage current as well as the increase of NS.
キーワード (和) 高電子移動度トランジスタ / HEMT / GaInSb / InSb / 量子井戸 / 遮断周波数 / 最大発振周波数 /  
(英) High Electron Mobility Transistor / HEMT / GaInSb / InSb / Quantum well / Cutoff frequency / Maximum oscillation frequency /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 353, ED2019-83, pp. 29-32, 2019年12月.
資料番号 ED2019-83 
発行日 2019-12-16 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2019-83

研究会情報
研究会 ED THz  
開催期間 2019-12-23 - 2019-12-24 
開催地(和) 東北大学・電気通信研究所 
開催地(英)  
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-12-ED-THz 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaInSb n-Channel HEMTs Using Strained-Al0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sb Stepped Buffer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高電子移動度トランジスタ / High Electron Mobility Transistor  
キーワード(2)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(3)(和/英) GaInSb / GaInSb  
キーワード(4)(和/英) InSb / InSb  
キーワード(5)(和/英) 量子井戸 / Quantum well  
キーワード(6)(和/英) 遮断周波数 / Cutoff frequency  
キーワード(7)(和/英) 最大発振周波数 / Maximum oscillation frequency  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 大澤 幸希 / Koki Osawa / オオサワ コウキ
第1著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩木 拓也 / Takuya Iwaki / イワキ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 勇輝 / Yuki Endoh / エンドウ ユウキ
第3著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 平岡 瑞穂 / Mizuho Hiraoka / ヒラオカ ミズホ
第4著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸本 尚之 / Naoyuki Kishimoto / キシモト ナオユキ
第5著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 拓也 / Takuya Hayashi / ハヤシ タクヤ
第6著者 所属(和/英) 情報通信研究機構/東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ
第7著者 所属(和/英) 情報通信研究機構/東京理科大学 (略称: NICT/東京理科大)
National Institute of Information and Communications Technology/Tokyo University of Science (略称: NICT/TUS)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 良美 / Yoshimi Yamashita / ヤマシタ ヨシミ
第8著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ
第9著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 高寛 / Takahiro Gotow / ゴトウ タカヒロ
第10著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 笠松 章史 / Akifumi Kasamatsu / カサマツ アキフミ
第11著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ
第12著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤代 博記 / Hiroki Fujishiro / フジシロ ヒロキ
第13著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: TUS)
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講演者
発表日時 2019-12-23 16:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2019-83 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.353 
ページ範囲 pp.29-32 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-12-16 


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