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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-22 13:05
微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性
船戸 充小林敬嗣川上養一京大ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97
抄録 (和) 有機金属気相成長法により,[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に,分子層(ML)レベルで薄いGaN/AlN量子井戸(QW)構造を作製した.作製後の表面観察からバンチングしたMLステップ(マクロステップ)の形成が確認された.QWからの発光スペクトルは,低温で5.5 eVと5.0 eVのダブルピークで構成されていた.これまでの実験および理論計算の報告を踏まえ,前者を原子レベルで平坦なテラス上の1 ML GaN QW,後者をマクロステップ端に形成された2 ML GaN QWからの発光であると同定した.室温ではステップ端QWからの発光が支配的となった.ステップ端QWからの発光の低温・室温強度比は30%程度であり,高い内部量子効率が示唆された.時間分解フォトルミネッセンス測定により,室温における非輻射再結合の抑制が示唆され,それが内部量子効率向上の要因であることがわかった. 
(英) Ultra-thin GaN/AlN quantum wells at a mono-molecular layer (ML) level are fabricated on vicinal AlN (0001) substrates with a tilt of 3 toward the [1bar{mathrm{1}}00] direction by metalorganic vapor phase epitaxy. On the surface after the growth, bunched ML steps (macro-steps) are observed. The photoluminescence (PL) spectra at low temperatures are composed of two components peaking at 5.5 and 5.0 eV. Referring to previous experimental and theoretical studies, we assign the former to 1 ML GaN QWs on atomically flat terraces and the latter to 2 ML GaN QWs at macro-steps. The PL spectrum at room temperature is dominated by the PL from the macro-step QWs. The ratio of PL intensity at RT against that at the lowest temperature is ~30%, which suggests high internal quantum efficiency. Time-resolved PL indicates that the improvement of the internal quantum efficiency is due to suppression of nonradiative recombination at room temperature.
キーワード (和) GaN/AlN量子井戸 / 分子層 / 微傾斜面 / 自己停止成長 / / / /  
(英) GaN/AlN quantum wells / mono-molecular layer, / vicinal surface / self-limiting growth / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-97, pp. 89-92, 2019年11月.
資料番号 LQE2019-97 
発行日 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2019-11-21 - 2019-11-22 
開催地(和) 静岡大学(浜松) 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2019-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and optical characterization of ultrathin GaN quantum wells on AlN vicinal (0001) planes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN/AlN量子井戸 / GaN/AlN quantum wells  
キーワード(2)(和/英) 分子層 / mono-molecular layer,  
キーワード(3)(和/英) 微傾斜面 / vicinal surface  
キーワード(4)(和/英) 自己停止成長 / self-limiting growth  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 敬嗣 / Hirotsugu Kobayashi / コバヤシ ヒロツグ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-22 13:05:00 
発表時間 20 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-ED2019-54,IEICE-CPM2019-73,IEICE-LQE2019-97 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) 
ページ範囲 pp.89-92 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-11-14,IEICE-CPM-2019-11-14,IEICE-LQE-2019-11-14 


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