| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-22 13:25 UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 ○田中隼也・川瀬雄太（名城大）・佐藤恒輔（旭化成/名城大）・安江信次・手良村昌平・荻野雄矢（名城大）・岩山 章（名城大/三重大）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）・三宅秀人（三重大）  ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
|
| 抄録 | （和） | AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低減によってレーザ発振閾値の低減が確認された。またvariable stripe length (VSL)測定により、低転位化は非発光再結合低減による光学利得が増加するだけでなく、内部ロスが低減することを確認できた。したがって、低転位が低いキャリア注入で大きな光学利得を得るだけでなく内部ロスの低減に繋がり、結果として大きなレーザ発振閾値の低減につながったことが確認された。また内部ロスの低減は、転位自体によって形成される屈折率変動の増加に基づく散乱モデルで説明できた。 |
| （英） | The dependence of threshold pumping power density, optical gain, and internal loss on the dislocation density of AlGaN-based UV-B optically pumped laser was investigated. It was confirmed that the laser oscillation threshold was reduced by reducing the dislocation density. In addition, variable stripe length (VSL) measurement confirmed that low dislocation not only increased the optical gain due to non-radiative recombination reduction but also reduced internal loss. Therefore, it was confirmed that low dislocation resulted in not only a large optical gain by low carrier injection but also a reduction in internal loss, resulting in a large laser oscillation threshold. The reduction of internal loss can be explained by a scattering model based on the increase in refractive index fluctuation formed by dislocation itself. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / AlGaN / UVレーザ / VSL測定 / / / / |
| （英） | MOVPE / AlGaN / UV laser / VSL measurement / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-98, pp. 93-96, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-98 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dislocation density dependence of optical gain and internal loss in UV-B region AlGaN active layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | UVレーザ / UV laser |
| キーワード(4)（和/英） | VSL測定 / VSL measurement |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 隼也 / Shunya Tanaka / タナカ シュンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川瀬 雄太 / Yuta Kawase / カワセ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 恒輔 / Kosuke Sato / サトウ コウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 旭化成株式会社/名城大学 (略称： 旭化成/名城大) Asahi Kasei Corporation/Meijo University (略称： Asahi-Kasei/Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安江 信次 / Shinji Yasue / ヤスエ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手良村 昌平 / Shohei Teramura / テラムラ ショウヘイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻野 雄矢 / Yuya Ogino / オギノ ユウヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩山 章 / Sho Iwayama / イワヤマ ショウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名城大学/三重大学 (略称： 名城大/三重大) Meijo University/Mie University (略称： Meijo Univ./Mie Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第9著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第11著者 所属（和/英） | 名城大学/名古屋大・赤﨑記念研究センター (略称： 名城大/名大) Meijo University/Akasaki Research Center, Nagoya University (略称： Meijo Univ./Akasaki Research Center, Nagoya Univ.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第12著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 1 |
| 発表日時 | 2019-11-22 13:25:00 |
| 発表時間 | 20 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | IEICE-ED2019-55,IEICE-CPM2019-74,IEICE-LQE2019-98 |
| 巻番号（vol） | IEICE-119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | IEICE-4 |
| 発行日 | IEICE-ED-2019-11-14,IEICE-CPM-2019-11-14,IEICE-LQE-2019-11-14 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]