| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-22 14:40 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 ○角谷正友（物質・材料研究機構）  ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 |
|
| 抄録 | （和） | III-V族窒化物半導体材料を電子デバイスや受光デバイスに応用するには、ギャップ内欠陥準位の評価と低減が重要である。我々は分光した光で励起された電子が非輻射過程で発生する熱を検出する光熱偏向分光装置をIII-V族窒化物材料用に作製した。励起する光に対する信号強度の依存性から価電子帯上端の構造（Urbach enrgy）のみならず、ギャップ内欠陥準位を検出することができる。この方法のメリットは電気的・光学的に不活性な試料でも１）電極が不要で、２）深いギャップ内準位まで、３）全ての荷電状態の欠陥を検出できる点が挙げられる。InGaN薄膜とMgイオン注入したGaNを例として光熱偏向分光法原理とIII-V族窒化物半導体材料への適応例を紹介する。 |
| （英） | In order to improve the performance of power electronic and photo-passive devices, it is important to evaluate the in-gap states in III-V nitrides and to reduce them. We have developed the apparatus of photothermal deflection spectroscopy (PDS) for evaluating III-V nitride materials. Not only tail states above the valence band, but also the deeper levels in the band gap can be detected by PDS. Advantages of PDS technique are to detect Urbach energy and defect levels for electrically and optically inactive sample with 1) no electrode, 2) coverage of deeper levels, and 3) detection of all charge states. In this study, the PDS data for InGaN alloy films and Mg ion implanted GaN will be presented. | |
| キーワード | （和） | III-V族窒化物 / 光熱偏向分光法 / 欠陥準位 / Urbach energy / / / / |
| （英） | III-V nitride / Photothermal deflection spectroscopy / defect level / Urbach energy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-101, pp. 107-110, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-101 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-58 CPM2019-77 LQE2019-101 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光熱偏向分光によるIII-V族窒化物の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of III-V nitride by photothermal deflection spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | III-V族窒化物 / III-V nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 光熱偏向分光法 / Photothermal deflection spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | 欠陥準位 / defect level |
| キーワード(4)（和/英） | Urbach energy / Urbach energy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角谷 正友 / Masatomo Sumiya / スミヤ マサトモ |
| 第1著者 所属（和/英） | 物質材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第2著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第3著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-22 14:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-58, CPM2019-77, LQE2019-101 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.107-110 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]