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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-22 14:20 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 ○森 恵人・高橋佑知・森本悠也・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）  ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 |
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| 抄録 | （和） | 窒化物半導体の光学的性質を正しく理解するためには，まず内部量子効率(IQE: Internal Quantum Efficiency)を正確に測定することが重要であると考えられる．これまでに，我々は光音響(PA : Photoacoustic)・発光(PL: Photoluminescence)同時計測によるIQE測定をGaN膜に適用し妥当な結果を得ている．しかしながら，この測定をInGaN単一量子井戸(SQW: Single Quantum Well)において行う場合，活性層がGaN膜に比べ非常に薄いため，PA信号強度が小さく，再現性のあるIQE測定が難しいという課題があった．そこで本研究では，PA測定のノイズ低減を行い，S/N比を1桁以上改善することに成功した．そして，この手法を用いて品質の異なる種々のInGaN SQWに対してIQE測定を行った． |
| （英） | In order to comprehensively understand the optical properties of nitride semiconductors, we believe accurate measurement of internal quantum efficiency (IQE) would be very important. In our previous studies, we performed simultaneous photoacoustic (PA) and photoluminescence (PL) measurements to estimate IQE values of GaN films and obtained reasonable results. However, the measurement was not very easy for InGaN single quantum well (SQW) samples because the active layers in InGaN SQW samples are very thin, and S/N ratio was too small to obtain reproducible results. In this study, we have successfully reduced the noise level of PA measurements by one order of magnitude. By using this method, we have measured the IQE values for various InGaN SQW samples with different qualities. | |
| キーワード | （和） | InGaN / 量子井戸 / 内部量子効率 / 光音響 / 輻射再結合 / / / |
| （英） | InGaN / quantum well / internal quantum efficiency / photo-acoustic / radiative recombination / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-100, pp. 101-106, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-100 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-57 CPM2019-76 LQE2019-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | 内部量子効率 / internal quantum efficiency |
| キーワード(4)（和/英） | 光音響 / photo-acoustic |
| キーワード(5)（和/英） | 輻射再結合 / radiative recombination |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 恵人 / Keito Mori / モリ ケイト |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 佑知 / Yuchi Takahashi / タカハシ ユウチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森本 悠也 / Yuya Morimoto / モリモト ユウヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草薙 進 / Susumu Kusanagi / クサナギ ススム |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) SONY Corporation (略称： SONY) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani / カニタニ ユウヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) SONY Corporation (略称： SONY) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 喜弘 / Yoshihiro Kudo / クドウ ヨシヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) SONY Corporation (略称： SONY) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya / トミヤ シゲタカ |
| 第8著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) SONY Corporation (略称： SONY) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-22 14:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-57, CPM2019-76, LQE2019-100 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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