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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-22 12:05
Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源
猪狩朋也筑波大/産総研)・長尾昌善産総研)・三石和貴物質・材料研究機構)・佐々木正洋山田洋一筑波大)・村上勝久産総研/筑波大ED2019-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-75
抄録 (和) 本研究は,原子層物質であるgraphene及び$h$-BNの積層構造を用いた新規平面型電子放出素子を開発し,その電子放出特性を議論したものである.開発した電子源の最大放出電流密度は数A/cm$^2$で,これは従来の平面型電子源の10倍以上の電流密度であった.
放出電子のエネルギ幅は大電流放出時においても0.6 eV以下であり,既存のショットキー型電子源よりも高い単色性を示した.さらに,低電流放出時においてそのエネルギ幅は0.3 eV程度で,金属冷陰極電子源と同程度であった.今回開発した平面型電子源は,低電圧動作ながらも高い放出電流密度と高いエネルギ単色性を両立する画期的なデバイスである. 
(英) In this study, a novel planar-type electron emission device based on atomic layer materials of graphene/$h$-BN heterostructure was developed. The emission current reached a few A/cm$^2$, which was ten times higher than that from a conventional GOS device. The full width at half maximum of the energy distribution of electrons emitted from the graphene/$h$-BN emission device was smaller than 0.6 eV. This is narrower than that from conventional Schottky emitters. In the small current region, energy spread was as small as 0.3 eV, approaching the range of a conventional cold field emitters.These superior properties of the present device, such as high emission current with low energy spread and low operation voltage, open new applications.
キーワード (和) グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 平面型電子源 / / / / /  
(英) graphene / hexagonal boron nitride / planar-type electron source / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 305, ED2019-75, pp. 63-66, 2019年11月.
資料番号 ED2019-75 
発行日 2019-11-14 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2019-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-75

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2019-11-21 - 2019-11-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-11-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Planar-type electron source based on a graphene/h-BN heterostructure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(2)(和/英) 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride  
キーワード(3)(和/英) 平面型電子源 / planar-type electron source  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 猪狩 朋也 / Tomoya Igari / イガリ トモヤ
第1著者 所属(和/英) 筑波大学/産業技術総合研究所 (略称: 筑波大/産総研)
University of Tsukuba/National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: Univ. of Tsukuba/AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三石 和貴 / Kazutaka Mitsuishi / ミツイシ カズタカ
第3著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 正洋 / Masahiro Sasaki / ササキ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 洋一 / Yoichi Yamada / ヤマダ ヨウイチ
第5著者 所属(和/英) 筑波大学 (略称: 筑波大)
University of Tsukuba (略称: Univ. of Tsukuba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所/筑波大学 (略称: 産総研/筑波大)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology/University of Tsukuba (略称: AIST/Univ. of Tsukuba)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-11-22 12:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2019-75 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.305 
ページ範囲 pp.63-66 
ページ数
発行日 2019-11-14 (ED) 


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