講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-22 12:05
Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源 ○猪狩朋也(筑波大/産総研)・長尾昌善(産総研)・三石和貴(物質・材料研究機構)・佐々木正洋・山田洋一(筑波大)・村上勝久(産総研/筑波大) ED2019-75 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-75 |
抄録 |
(和) |
本研究は,原子層物質であるgraphene及び$h$-BNの積層構造を用いた新規平面型電子放出素子を開発し,その電子放出特性を議論したものである.開発した電子源の最大放出電流密度は数A/cm$^2$で,これは従来の平面型電子源の10倍以上の電流密度であった.
放出電子のエネルギ幅は大電流放出時においても0.6 eV以下であり,既存のショットキー型電子源よりも高い単色性を示した.さらに,低電流放出時においてそのエネルギ幅は0.3 eV程度で,金属冷陰極電子源と同程度であった.今回開発した平面型電子源は,低電圧動作ながらも高い放出電流密度と高いエネルギ単色性を両立する画期的なデバイスである. |
(英) |
In this study, a novel planar-type electron emission device based on atomic layer materials of graphene/$h$-BN heterostructure was developed. The emission current reached a few A/cm$^2$, which was ten times higher than that from a conventional GOS device. The full width at half maximum of the energy distribution of electrons emitted from the graphene/$h$-BN emission device was smaller than 0.6 eV. This is narrower than that from conventional Schottky emitters. In the small current region, energy spread was as small as 0.3 eV, approaching the range of a conventional cold field emitters.These superior properties of the present device, such as high emission current with low energy spread and low operation voltage, open new applications. |
キーワード |
(和) |
グラフェン / 六方晶窒化ホウ素 / 平面型電子源 / / / / / |
(英) |
graphene / hexagonal boron nitride / planar-type electron source / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 305, ED2019-75, pp. 63-66, 2019年11月. |
資料番号 |
ED2019-75 |
発行日 |
2019-11-14 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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