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| 講演名 | 2019-11-22 14:00 InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 ○藤田貴志・坂井繁太・池田優真・山口敦史（金沢工大）・草薙 進・蟹谷裕也・工藤喜弘・冨谷茂隆（ソニー）  ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 |
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| 抄録 | （和） | InGaN混晶は、組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺らぎは光デバイスの特性に大きな影響を与えるため、その特性向上や新機能付加には電子状態の理解が必要である。Mobility edgeの位置は組成揺らぎの一つの指標になり得るが、評価方法により異なる結果が得られている。我々は、この不一致の原因を解明するために、速度方程式を用いた理論モデルを昨年提案したが、実験結果との定量的な比較まではできていなかった。本研究では、理論モデルの改善を行い、実験と理論の定量的な比較をできるようにし、Mobility edge位置の正しい評価にはキャリアフィリングの効果に注視する必要があることを明らかにした。また、正しい評価にはPLEスペクトルを用いる方法が最適であることも示唆された。 |
| （英） | InGaN is a mixed crystal of InN and GaN. Entire visible light range can be covered by changing their composition. Since the compositional fluctuation in the InGaN quantum well (QW) greatly affects the characteristics of optical devices, it is very important to understand the electronic structures of such fluctuated InGaN-QW systems for the improvement of their device characteristics. Mobility edge, which is the boundary energy between the localized and delocalized states, can be an index to evaluate the potential fluctuation of carriers. Several experiments, however, have been proposed to evaluate the mobility edge, and they give sometime different results each other. In this study, we experimentally and theoretically have studied on the evaluation method of mobility edge, and it was clarified that the estimation of mobility edge by PLE spectrum is the most suitable method. | |
| キーワード | （和） | InGaN量子井戸 / 組成揺らぎ / 光学特性 / Mobility edge / / / / |
| （英） | InGaN-QWs / Potential fluctuation / Optical characterization / Mobility edge / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-99, pp. 97-100, 2019年11月. | |
| 資料番号 | LQE2019-99 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-56 CPM2019-75 LQE2019-99 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸におけるMobility Edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical and Experimental Studies on Estimation Methods of Mobility Edge in InGaN Quantum Wells |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN-QWs |
| キーワード(2)（和/英） | 組成揺らぎ / Potential fluctuation |
| キーワード(3)（和/英） | 光学特性 / Optical characterization |
| キーワード(4)（和/英） | Mobility edge / Mobility edge |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 貴志 / Takashi Fujita / フジタ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technologh (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂井 繁太 / Shigeta Sakai / サカイ シゲタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technologh (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 優真 / Yuma Ikeda / イケダ ユウマ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technologh (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technologh (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草薙 進 / Susumu Kusanagi / クサナギ ススム |
| 第5著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蟹谷 裕也 / Yuya Kanitani / カニタニ ユウヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 喜弘 / Yoshihiro Kudo / クドウ ヨシヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka Tomiya / トミヤ シゲタカ |
| 第8著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 (略称： ソニー) Sony Corporation (略称： Sony) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-22 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2019-56, CPM2019-75, LQE2019-99 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.97-100 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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