講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-21 14:55
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志(名工大)・岡田成仁・只友一行(山口大)・竹内哲也(名城大) ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 |
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文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 304, LQE2019-87, pp. 49-52, 2019年11月. |
資料番号 |
LQE2019-87 |
発行日 |
2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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