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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-21 13:55 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
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| 抄録 | （和） | SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成することにより、絶縁体/半導体の界面特性が良く、ゲートリーク電流(Ig)の低い、GaN系半導体に対するMIS構造を作製することができる。我々は、まず、ALD-SiO2に対して絶縁膜形成後のアニール(PDA)を種々のアニール雰囲気で行い、ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすアニール雰囲気の効果について評価を行った。この際、SiO2/AlGaN界面における化学状態をXPS、SIMSにより評価した。O2-PDAでは、N2-PDAよりも低温のPDAでH不純物の減少が生じることを確認した。次に、ALDにより作製したSiO2/Al2O3/AlGaN/ GaN MIS-HEMTのデバイス特性を評価した。この結果、SiO2成膜後にO2プラズマ処理を施したものが最も良好なI-V特性を示した。 |
| （英） | SiO2 has a relatively large band gap of approximately 9 eV. Therefore, by fabricating SiO2/Al2O3 double insulators, GaN-based MIS-structures that have good insulator/semiconductor interfaces and low gate leakage currents can be obtained. Firstly, we conducted the post-deposition annealing (PDA) in various annealing atmosphere and evaluated the effect of annealing ambient on device characteristics of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs. We also evaluated the chemical characteristics of SiO2/AlGaN interfaces by XPS and SIMS. It was confirmed that O2-PDA reduces the amount of H impurity at a lower temperature than N2-PDA. Finally, SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs were fabricated using ALD, and the electrical characteristics were investigated. As a result, the MIS-HEMT fabricated using O2-plasma treatment after the SiO2 deposition showed good I-V characteristics. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS / HEMT / ALD / PDA / Al2O3 / SiO2 / |
| （英） | GaN / MIS / HEMT / ALD / PDA / Al2O3 / SiO2 / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 302, ED2019-41, pp. 37-40, 2019年11月. | |
| 資料番号 | ED2019-41 | |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM LQE ED |
| 開催期間 | 2019-11-21 - 2019-11-22 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2019-11-CPM-LQE-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of device characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double insulators fabricated by ALD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | PDA / PDA |
| キーワード(6)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(7)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横井 駿一 / Shunichi Yokoi / ヨコイ シュンイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古岡 啓太 / Keita Furuoka / ケイタ フルオカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-21 13:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2019-41, CPM2019-60, LQE2019-84 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) |
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