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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-21 13:55
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
抄録 (和) SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成することにより、絶縁体/半導体の界面特性が良く、ゲートリーク電流(Ig)の低い、GaN系半導体に対するMIS構造を作製することができる。我々は、まず、ALD-SiO2に対して絶縁膜形成後のアニール(PDA)を種々のアニール雰囲気で行い、ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすアニール雰囲気の効果について評価を行った。この際、SiO2/AlGaN界面における化学状態をXPS、SIMSにより評価した。O2-PDAでは、N2-PDAよりも低温のPDAでH不純物の減少が生じることを確認した。次に、ALDにより作製したSiO2/Al2O3/AlGaN/ GaN MIS-HEMTのデバイス特性を評価した。この結果、SiO2成膜後にO2プラズマ処理を施したものが最も良好なI-V特性を示した。 
(英) SiO2 has a relatively large band gap of approximately 9 eV. Therefore, by fabricating SiO2/Al2O3 double insulators, GaN-based MIS-structures that have good insulator/semiconductor interfaces and low gate leakage currents can be obtained. Firstly, we conducted the post-deposition annealing (PDA) in various annealing atmosphere and evaluated the effect of annealing ambient on device characteristics of ALD-SiO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs. We also evaluated the chemical characteristics of SiO2/AlGaN interfaces by XPS and SIMS. It was confirmed that O2-PDA reduces the amount of H impurity at a lower temperature than N2-PDA. Finally, SiO2/Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs were fabricated using ALD, and the electrical characteristics were investigated. As a result, the MIS-HEMT fabricated using O2-plasma treatment after the SiO2 deposition showed good I-V characteristics.
キーワード (和) GaN / MIS / HEMT / ALD / PDA / Al2O3 / SiO2 /  
(英) GaN / MIS / HEMT / ALD / PDA / Al2O3 / SiO2 /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 302, ED2019-41, pp. 37-40, 2019年11月.
資料番号 ED2019-41 
発行日 2019-11-14 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84

研究会情報
研究会 CPM LQE ED  
開催期間 2019-11-21 - 2019-11-22 
開催地(和) 静岡大学(浜松) 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-11-CPM-LQE-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Estimation of device characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double insulators fabricated by ALD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) MIS / MIS  
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(4)(和/英) ALD / ALD  
キーワード(5)(和/英) PDA / PDA  
キーワード(6)(和/英) Al2O3 / Al2O3  
キーワード(7)(和/英) SiO2 / SiO2  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 横井 駿一 / Shunichi Yokoi / ヨコイ シュンイチ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 古岡 啓太 / Keita Furuoka / ケイタ フルオカ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ
第4著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2019-11-21 13:55:00 
発表時間 20 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2019-41,IEICE-CPM2019-60,IEICE-LQE2019-84 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.302(ED), no.303(CPM), no.304(LQE) 
ページ範囲 pp.37-40 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-11-14,IEICE-CPM-2019-11-14,IEICE-LQE-2019-11-14 


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