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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-15 15:45
QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計
高井良貴福地 守松井千尋木下怜佳竹内 健中大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた.ただし,セルあたりのビット数を増加させるとともに,読み出し・書き込みの時間は長くなる.近年,セルあたりに4ビットの情報を保持できるquadruple-level cell (QLC) NAND型フラッシュメモリが登場した.これは,NAND型フラッシュメモリの中で最も大容量・低コストではあるが,最も低速なメモリとなる.一方で,NAND型フラッシュメモリよりも高速かつ高コストなストレージクラスメモリの開発が進んでいる.本論文ではQLC NAND型フラッシュメモリに着目し,これらの複数種類の不揮発性メモリを組み合わせ,ハイブリッドSSDモデルのシミュレーション評価を行い最適な不揮発性メモリ構成を設計し解析する. 
(英) In order to expand capacity and reduce cost of NAND flash memory, the number of bits per cell has been increased. However, as the number of bits per cell increases, read and write latency become longer. Recently, quadruple-level cell (QLC) NAND flash that stores four bits per cell has been put into market. QLC NAND flash has the largest capacity and the lowest cost but lowest performance in NAND flash memories. On the other hand, storage class memories with higher performance and cost than NAND flash have been developed. Focusing on QLC NAND flash, hybrid SSDs configured with these non-volatile memories are evaluated by simulation, and optimal non-volatile memory configuration is analyzed.
キーワード (和) QLC NAND型フラッシュメモリ / ストレージクラスメモリ / ハイブリッドSSD / / / / /  
(英) QLC NAND flash memory / Storage class memory / Hybrid SSD / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-41, pp. 59-63, 2019年11月.
資料番号 ICD2019-41 
発行日 2019-11-07 (ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of optimal NV-memory configuration for hybrid SSD with QLC NAND flash memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) QLC NAND型フラッシュメモリ / QLC NAND flash memory  
キーワード(2)(和/英) ストレージクラスメモリ / Storage class memory  
キーワード(3)(和/英) ハイブリッドSSD / Hybrid SSD  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 良貴 / Yoshiki Takai / タカイ ヨシキ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 福地 守 / Mamoru Fukuchi / フクチ マモル
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 怜佳 / Reika Kinoshita / キノシタ レイカ
第4著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第5著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-15 15:45:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2019-41,IEICE-IE2019-47 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.284(ICD), no.285(IE) 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2019-11-07,IEICE-IE-2019-11-07 


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