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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-15 14:15
SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作
後藤正英NHK)・本田悠葵NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている.これまでに,SOIウェハの直接接合技術により,画素内で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換を行う2層構造イメージセンサの開発を行い,その撮像動作を実証した.今回,本センサのさらなる高集積化や多機能化を可能とする多層構造の実現に向けて,3層のSOIウェハから構成されるリングオシレータおよびイメージセンサを設計し,直径5 μmのAu電極を埋め込んだ直接接合技術により試作を行った.その結果,3層のウェハが剥離なく接合していることを確認するとともに,101段リングオシレータの動作を実証することができ,将来の多層構造デバイスの実現に見通しを得た. 
(英) We have studied on pixel-parallel three-dimensional (3D) integrated CMOS image sensors. We previously reported double-layered image sensors by direct bonding of silicon on insulator (SOI) layers with embedded Au electrodes, which confirmed pixel-parallel video images. We have newly designed the triple-layered ring oscillator and image sensor to demonstrate the concept of the multi-layered devices which improve the resolution and enhance the functionality. The developed triple-stacked wafers are confirmed to have no voids or separation of layers even after the removal of the handle layer, thereby demonstrating the feasibility of multi-layered imaging devices for the next-generation video systems.
キーワード (和) CMOSイメージセンサ / 3次元集積化技術 / リングオシレータ / 接合 / SOI / A/D変換回路 / /  
(英) CMOS image sensor / 3D integration / ring oscillator / bonding / SOI / A/D converter / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-38, pp. 45-49, 2019年11月.
資料番号 ICD2019-38 
発行日 2019-11-07 (ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Triple-Layered Ring Oscillators and Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Wafers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor  
キーワード(2)(和/英) 3次元集積化技術 / 3D integration  
キーワード(3)(和/英) リングオシレータ / ring oscillator  
キーワード(4)(和/英) 接合 / bonding  
キーワード(5)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(6)(和/英) A/D変換回路 / A/D converter  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 正英 / Masahide Goto / ゴトウ マサヒデ
第1著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK STRL (略称: NHK)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 悠葵 / Yuki Honda / ホンダ ユウキ
第2著者 所属(和/英) NHKエンジニアリングシステム (略称: NHKエンジニアリングシステム)
NHK Engineering System (略称: NHK-ES)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 俊久 / Toshihisa Watabe / ワタベ トシヒサ
第3著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK STRL (略称: NHK)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 萩原 啓 / Kei Hagiwara / ハギワラ ケイ
第4著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK STRL (略称: NHK)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 難波 正和 / Masakazu Nanba / ナンバ マサカズ
第5著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK STRL (略称: NHK)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 義則 / Yoshinori Iguchi / イグチ ヨシノリ
第6著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK STRL (略称: NHK)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 日暮 栄治 / Eiji Higurashi / ヒグラシ エイジ
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 年吉 洋 / Hiroshi Toshiyoshi / トシヨシ ヒロシ
第10著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第11著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2019-11-15 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2019-38,IEICE-IE2019-44 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.284(ICD), no.285(IE) 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2019-11-07,IEICE-IE-2019-11-07 


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