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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-14 14:15
3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化技術
阿部真輝竹内 健中大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネットワークを用いて寿命を予測する手法を提案した。また、メモリ内で発生したエラーを訂正する手法を提案した。メモリのエラー特性をニューラルネットワークに学習させることで、メモリ内に発生したエラーの検出が可能になる。検出したエラーを訂正することによって、フラッシュメモリの高信頼化を実現した。
以上の提案により、メモリの寿命を出荷前に予測することが可能になる。予測した寿命に基づいて選別を行い、長いデータ保持時間が求められるアーカイブなどの市場や頻繁に読み出しが行われる市場のそれぞれに、適切なチップを出荷することが実現できる。 
(英) NAND flash memories have lifetime such as data-retention time and read cycles. This paper proposes neural network technique to predict lifetime of NAND flash memories. In addition, this paper proposes a method to correct cell errors of NAND flash memories. Neural network learns dependence of cell errors and can detect errors. The detected error bits are flipped and corrected. As a result, this method improves the reliability of 3D NAND flash memory.
During pre-shipment test in fabs, lifetime of NAND flash memories is predicted. Based on the lifetime, NAND flash chips are sorted. Optimal chips are shipped to markets such as archives where chips with long data-retention lifetime are required and markets where data is read frequently, respectively.
キーワード (和) 3次元NAND型フラッシュメモリ / ニューラルネットワーク / 誤り訂正符号 / / / / /  
(英) NAND Flash Memory / Neural Network / Error-correcting Code / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-30, pp. 7-12, 2019年11月.
資料番号 ICD2019-30 
発行日 2019-11-07 (ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Neural Network-based Lifetime Prediction and Reliability Enhancement Techniques for 3D NAND Flash Memory 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元NAND型フラッシュメモリ / NAND Flash Memory  
キーワード(2)(和/英) ニューラルネットワーク / Neural Network  
キーワード(3)(和/英) 誤り訂正符号 / Error-correcting Code  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 阿部 真輝 / Masaki Abe / アベ マサキ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-14 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2019-30,IEICE-IE2019-36 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.284(ICD), no.285(IE) 
ページ範囲 pp.7-12 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ICD-2019-11-07,IEICE-IE-2019-11-07 


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