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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-14 09:15
単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル
保坂 巧埼玉大)・西澤真一福岡大)・岸田 亮東京理科大)・松本高士東大)・小林和淑京都工繊大VLD2019-35 DC2019-59
抄録 (和) 本論文ではコンパクトな負バイアス温度不安定性(NBTI)モデルを提案する.提案モデルは反応拡散(tn)およびホールトラッピング(log(t))モデルに基づいている.単発長期のDCストレス/リカバリ測定から得られたデータを利用し,DCストレス/リカバリだけでなくACストレス/リカバリを表現可能なモデルパラメータを抽出する.モデルパラメータ抽出に優先順位をつけることで,デューティ比の異なるACストレス/リカバリ特性を表現可能であることを示す. 
(英) In this paper, simple and compact Negative Bias Temperature Instability (NBTI) model is proposed. The model is based on the reaction-diffusion (tn) and hole-trapping (log(t)) theories. Data with a single shot of DC stress and recovery are utilized to extract model parameters. Our key idea is setting the priority in the model fitting process to be possible for replicating AC dependency of NBTI stress and recovery effect. The proposed model successfully replicates stress and recovery with various duty cycles.
キーワード (和) 負バイアス温度不安定性(NBTI) / ACストレス依存性 / 反応拡散 / ホールトラッピング / / / /  
(英) negative bias temperature instability (NBTI) / AC stress dependency / reaction diffusion / hole trapping / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 282, VLD2019-35, pp. 57-62, 2019年11月.
資料番号 VLD2019-35 
発行日 2019-11-06 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2019-35 DC2019-59

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単発DCストレス測定による負バイアス温度不安定性のAC特性を再現可能なモデル 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) NBTI Model Replicating AC Stress/Recovery from a Single-shot Long-term DC Measurement 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 負バイアス温度不安定性(NBTI) / negative bias temperature instability (NBTI)  
キーワード(2)(和/英) ACストレス依存性 / AC stress dependency  
キーワード(3)(和/英) 反応拡散 / reaction diffusion  
キーワード(4)(和/英) ホールトラッピング / hole trapping  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 保坂 巧 / Takumi Hosaka / ホサカ タクミ
第1著者 所属(和/英) 埼玉大学 (略称: 埼玉大)
Saitama University (略称: Saitama Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西澤 真一 / Shinichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 福岡大学 (略称: 福岡大)
Fukuoka University (略称: Fukuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岸田 亮 / RYO Kishida / キシダ リョウ
第3著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo university of Science (略称: Tokyo Univ. of Science)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 高士 / Takashi Matsumoto / マツモト タカシ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi / コバヤシ カズトシ
第5著者 所属(和/英) 京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.)
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講演者
発表日時 2019-11-14 09:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2019-35,IEICE-DC2019-59 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.282(VLD), no.283(DC) 
ページ範囲 pp.57-62 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2019-11-06,IEICE-DC-2019-11-06 


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