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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-11-14 17:30 6-10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性 ○清水駿斗・岩下雄大・岩本遼太郎（鹿児島大）・河口民雄（東芝）・西川健二郎（鹿児島大）  MW2019-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2019-110 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では，77Kで動作し，雑音特性に優れた6-10 GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの報告を行う．試作したLNAMMICの設計精度をあげるため，使用するGaAs pHEMT線形等価回路において各素子に温度特性パラメータを入れ込んだモデルを提案・作成している．MMICは，UMS社の0.25µm GaAs pHEMT（PH25）プロセスを用いて試作している．試作したLNA MMICは，77K動作において，6~10GHzで利得15dB以上，雑音指数0.3dB未満，入出力反射損失10dB以上を実現している．また，7GHzでは利得20dB，雑音指数0.11dB（雑音温度7.7K）を実現している．消費電力は25mWであり，MMICサイズは1.4mm x 1.0mmである．これらの性能は，動作温度10K~20KでのLNAの性能と同じレベルであり，極低温受信システムの高性能化，低コスト化への寄与が期待できる． |
| （英） | This paper demonstrates a cryogenic broadband GaAs pHEMT LNA MMIC. The LNA was designed by using the modified GaAs pHEMT model, which includes the thermal characteristics of each device material. The MMIC was fabricated by using a commercial 0.25μm GaAs pHEMT process. The fabricated LNA MMIC achieved a noise figure of less than 0.3dB and an associated gain of over 15dB at 6-10 GHz. The corresponding return losses are better than 10dB. At 7GHz, the LNA realized a noise figure of 0.11dB (a noise temperature of7.7K) and an associated gain of 20dB. The power consumption is 25 mW. The MMIC size is 1.4mm x 1.0mm. These performances are the same level as those of LNAs at 10K-20K operation. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-110, pp. 59-63, 2019年11月. | |
| 資料番号 | MW2019-110 | |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2019-110 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2019-110 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2019-11-14 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 南大東村多目的交流センター |
| 開催地（英） | Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2019-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 6-10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 6-10GHz Cryogenic GaAs pHEMT LNA MMIC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 駿斗 / Hayato Shimizu / シミズ ハヤト |
| 第1著者 所属（和/英） | 鹿児島大学 (略称： 鹿児島大) Kagoshima University (略称： Kagoshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩下 雄大 / Yudai Iwashita / シミズ ハヤト |
| 第2著者 所属（和/英） | 鹿児島大学 (略称： 鹿児島大) Kagoshima University (略称： Kagoshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 遼太郎 / Ryotaro Iwamoto / イワモト リョウタロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 鹿児島大学 (略称： 鹿児島大) Kagoshima University (略称： Kagoshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河口 民雄 / Tamio Kawaguchi / カワグチ タミオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西川 健二郎 / Kenjiro Nishikawa / ニシカワ ケンジロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 鹿児島大学 (略称： 鹿児島大) Kagoshima University (略称： Kagoshima Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-14 17:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2019-110 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.59-63 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |
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