お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-14 17:30
6−10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性
清水駿斗岩下雄大岩本遼太郎鹿児島大)・河口民雄東芝)・西川健二郎鹿児島大MW2019-110
抄録 (和) 本研究では,77Kで動作し,雑音特性に優れた6-10 GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの報告を行う.試作したLNAMMICの設計精度をあげるため,使用するGaAs pHEMT線形等価回路において各素子に温度特性パラメータを入れ込んだモデルを提案・作成している.MMICは,UMS社の0.25µm GaAs pHEMT(PH25)プロセスを用いて試作している.試作したLNA MMICは,77K動作において,6~10GHzで利得15dB以上,雑音指数0.3dB未満,入出力反射損失10dB以上を実現している.また,7GHzでは利得20dB,雑音指数0.11dB(雑音温度7.7K)を実現している.消費電力は25mWであり,MMICサイズは1.4mm x 1.0mmである.これらの性能は,動作温度10K~20KでのLNAの性能と同じレベルであり,極低温受信システムの高性能化,低コスト化への寄与が期待できる. 
(英) This paper demonstrates a cryogenic broadband GaAs pHEMT LNA MMIC. The LNA was designed by using the modified GaAs pHEMT model, which includes the thermal characteristics of each device material. The MMIC was fabricated by using a commercial 0.25μm GaAs pHEMT process. The fabricated LNA MMIC achieved a noise figure of less than 0.3dB and an associated gain of over 15dB at 6-10 GHz. The corresponding return losses are better than 10dB. At 7GHz, the LNA realized a noise figure of 0.11dB (a noise temperature of7.7K) and an associated gain of 20dB. The power consumption is 25 mW. The MMIC size is 1.4mm x 1.0mm. These performances are the same level as those of LNAs at 10K-20K operation.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-110, pp. 59-63, 2019年11月.
資料番号 MW2019-110 
発行日 2019-11-07 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2019-110

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2019-11-14 - 2019-11-15 
開催地(和) 南大東村多目的交流センター 
開催地(英) Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center 
テーマ(和) マイクロ波/一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2019-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 6−10GHz帯GaAs pHEMT LNA MMICの極低温特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 6-10GHz Cryogenic GaAs pHEMT LNA MMIC 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) /  
キーワード(2)(和/英) /  
キーワード(3)(和/英) /  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 駿斗 / Hayato Shimizu / シミズ ハヤト
第1著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩下 雄大 / Yudai Iwashita / シミズ ハヤト
第2著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩本 遼太郎 / Ryotaro Iwamoto / イワモト リョウタロウ
第3著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 河口 民雄 / Tamio Kawaguchi / カワグチ タミオ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 西川 健二郎 / Kenjiro Nishikawa / ニシカワ ケンジロウ
第5著者 所属(和/英) 鹿児島大学 (略称: 鹿児島大)
Kagoshima University (略称: Kagoshima Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2019-11-14 17:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2019-110 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.292 
ページ範囲 pp.59-63 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MW-2019-11-07 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会