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| 講演名 | 2019-11-14 14:05 低しきい値エンハンスメント型GaAs HEMTを用いたゲートスイッチング方式微小電力整流器 ○吉田 剛・石川 亮・本城和彦（電通大）  MW2019-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2019-103 |
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| 抄録 | （和） | 高周波エナジーハーベスティングでは微小電力の高周波信号である環境電磁波を高効率に直流電力に変換するための整流器の開発が求められている。本研究では先ず，増幅器との時間反転双対性を持つトランジスタ整流器において，トランジスタの帰還容量と外部インダクタとの反共振を利用してゲートスイッチング電圧およびドレイン電圧の振幅を増加させ，微小電力での最適化を図った構成について述べる。次にデプレッション型と比較して非線形性の大きい低しきい値エンハンスメント型のGaAs HEMTが微小電力動作整流器に適していることを示し，実際にゲート幅50umのエンハンスメント型のGaAs HEMTを用いてトランジスタ整流器を設計，試作した．その結果2.4GHz帯で入力電力-30dBm，ゲート電圧0.27Vの条件においてRF-DC変換効率23.2%，直流出力電圧21mVを達成した． |
| （英） | In an RF energy-harvesting utilizing environmental electromagnetic waves, a high-efficiency rectifier is required to convert the ultra-low power environmental electromagnetic waves into DC power. In this paper, a circuit configuration of a self-switching-type transistor rectifier has been proposed by using the anti-resonance between the feedback capacitance in the transistor and the external inductor, in order to increase both of the gate switching voltage and drain voltage swing. The operation was successfully analyzed based on a small-signal equivalent circuit approximation. Then, for a realization of the ultra-low power transistor rectifier, a low-threshold enhancement-mode GaAs HEMT with strong nonlinearity was used. A fabricated enhancement-mode GaAs HEMT rectifier exhibited an RF-to-DC conversion efficiency of 23.2% and DC output voltage of 21 mV for -30 dBm input power at 2.4 GHz band | |
| キーワード | （和） | 整流器 / エナジーハーベスティング / / / / / / |
| （英） | rectifier / energy harvesting / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-103, pp. 19-24, 2019年11月. | |
| 資料番号 | MW2019-103 | |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2019-103 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2019-103 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2019-11-14 - 2019-11-15 |
| 開催地（和） | 南大東村多目的交流センター |
| 開催地（英） | Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center |
| テーマ（和） | マイクロ波/一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2019-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低しきい値エンハンスメント型GaAs HEMTを用いたゲートスイッチング方式微小電力整流器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Switching-Mode Low Power Transistor Rectifier using Enhancement-Mode GaAs HEMT |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 整流器 / rectifier |
| キーワード(2)（和/英） | エナジーハーベスティング / energy harvesting |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 剛 / Tsuyoshi Yoshida / ヨシダ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-14 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2019-103 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-11-07 (MW) |
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