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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-14 17:05
小型E級/逆E級増幅器に向けた多機能CRLH線路スタブ高調波処理回路
浅見紘考田中愼一芝浦工大MW2019-109
抄録 (和) 小型かつ高効率なE級/逆E級高出力増幅器を実現するため、バイアス供給、FET寄生容量の補償などの機能も備えた右手左手系複合(CRLH)線路スタブ高調波処理回路を提案する。CRLH線路スタブは線路分散を変えることで、その高周波特性を任意に制御できる。この特徴を利用することで、高調波処理回路のスタブだけでなく主信号線も大幅に寸法縮小したE級高調波処理回路を実現した。また、逆E級高調波処理回路では、CRLH線路スタブを構成するインダクタを利用してFET寄生容量を補償できることを示した。試作した2GHz帯GaN HEMT E級増幅器では、出力38.9 dBm、ドレイン効率78.3%、付加電力効率73.0%という良好な結果が得られた。 
(英) This report presents CRLH transmission line (TL) stubs for realizing compact high-efficiency class-E / inverse class-E power amplifiers (PAs). The CRLH TL stubs have capabilities of harmonics tuning, DC biasing and FET parasitic-capacitance compensation. The frequency response of the CRLH TL stubs can be controlled arbitrarily by modifying the dispersion diagram of the stub line. The feature leads to significant miniaturization of the length of the stub line as well as the main RF signal line comprising the harmonic tuning circuit (HTC) for class-E amplifier. As for the HTC for inverse class-E amplifier, it is shown that the inductor of the CRLH TL stub can be used to compensate the FET parasitic capacitance. The fabricated 2-GHz Class-E GaN HEMT PA demonstrated power performance of 38.9 dBm output power, 78.3% drain efficiency, 73.0% power-added efficiency.
キーワード (和) 高出力増幅器 / GaN / E級動作 / 逆E級動作 / CRLH / 付加電力効率 / /  
(英) power amplifier / GaN / Class-E / Inverse class-E / CRLH / power-added efficiency / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-109, pp. 53-58, 2019年11月.
資料番号 MW2019-109 
発行日 2019-11-07 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード MW2019-109

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2019-11-14 - 2019-11-15 
開催地(和) 南大東村多目的交流センター 
開催地(英) Minami Daido Villa. Tamokuteki Koryu Center 
テーマ(和) マイクロ波/一般 
テーマ(英) Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2019-11-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 小型E級/逆E級増幅器に向けた多機能CRLH線路スタブ高調波処理回路 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Multifunctional CRLH Transmission Line Stubs for Compact Class-E/Inverse-Class-E Power Amplifiers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 高出力増幅器 / power amplifier  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) E級動作 / Class-E  
キーワード(4)(和/英) 逆E級動作 / Inverse class-E  
キーワード(5)(和/英) CRLH / CRLH  
キーワード(6)(和/英) 付加電力効率 / power-added efficiency  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅見 紘考 / Hirotaka Asami / アサミ ヒロタカ
第1著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 愼一 / Shinichi Tanaka / タナカ シンイチ
第2著者 所属(和/英) 芝浦工業大学 (略称: 芝浦工大)
Shibaura Institute of Technology (略称: Shibaura Inst. of Tech.)
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講演者
発表日時 2019-11-14 17:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2019-109 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.292 
ページ範囲 pp.53-58 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-MW-2019-11-07 


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