講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-11-14 17:05
小型E級/逆E級増幅器に向けた多機能CRLH線路スタブ高調波処理回路 ○浅見紘考・田中愼一(芝浦工大) MW2019-109 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2019-109 |
抄録 |
(和) |
小型かつ高効率なE級/逆E級高出力増幅器を実現するため、バイアス供給、FET寄生容量の補償などの機能も備えた右手左手系複合(CRLH)線路スタブ高調波処理回路を提案する。CRLH線路スタブは線路分散を変えることで、その高周波特性を任意に制御できる。この特徴を利用することで、高調波処理回路のスタブだけでなく主信号線も大幅に寸法縮小したE級高調波処理回路を実現した。また、逆E級高調波処理回路では、CRLH線路スタブを構成するインダクタを利用してFET寄生容量を補償できることを示した。試作した2GHz帯GaN HEMT E級増幅器では、出力38.9 dBm、ドレイン効率78.3%、付加電力効率73.0%という良好な結果が得られた。 |
(英) |
This report presents CRLH transmission line (TL) stubs for realizing compact high-efficiency class-E / inverse class-E power amplifiers (PAs). The CRLH TL stubs have capabilities of harmonics tuning, DC biasing and FET parasitic-capacitance compensation. The frequency response of the CRLH TL stubs can be controlled arbitrarily by modifying the dispersion diagram of the stub line. The feature leads to significant miniaturization of the length of the stub line as well as the main RF signal line comprising the harmonic tuning circuit (HTC) for class-E amplifier. As for the HTC for inverse class-E amplifier, it is shown that the inductor of the CRLH TL stub can be used to compensate the FET parasitic capacitance. The fabricated 2-GHz Class-E GaN HEMT PA demonstrated power performance of 38.9 dBm output power, 78.3% drain efficiency, 73.0% power-added efficiency. |
キーワード |
(和) |
高出力増幅器 / GaN / E級動作 / 逆E級動作 / CRLH / 付加電力効率 / / |
(英) |
power amplifier / GaN / Class-E / Inverse class-E / CRLH / power-added efficiency / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 292, MW2019-109, pp. 53-58, 2019年11月. |
資料番号 |
MW2019-109 |
発行日 |
2019-11-07 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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