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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-14 14:40
強誘電体トランジスタを用いた並列積和演算可能なニューロモルフィック集積回路
上村公紀能美 奨竹内 健中大ICD2019-31 IE2019-37
抄録 (和) 近年、半導体の性能向上を支えてきたムーアの法則が限界を迎えつつある。そのため、従来のノイマン型コンピューティングからニューロモルフィックコンピューティングへの関心が高まっている。その中でも特に不揮発性メモリを用いたニューロモルフィック集積回路が注目されている。しかし、従来回路は重みの記憶容量が小さく、消費電力が高くなってしまう問題がある。本論文では強誘電体トランジスタ(FeFET)を用いたニューロモルフィック集積回路を提案する。FeFETは不揮発性メモリの一種であり、電流のダイナミックレンジが広いため重みの記憶容量が大きくなる。また、提案回路は低消費電力かつ並列に積和演算が可能である。 
(英) In recent years, Moore’s Law which has supported the improvement of semiconductor performance is coming to an end. Therefore, neuromorphic computing has attracted attention instead of conventional von Neumann computing. Among neuromorphic computing, neuromorphic circuits using non-volatile memory have particularly attracted attention. However, conventional neuromorphic circuits are small range of weight and high power consumption. This paper proposes neuromorphic circuits using ferroelectric-FET (FeFET). FeFET is a kind of non-volatile memory and has feature that the dynamic range of cell current is wide. Therefore, the range of weight is also wide. In addition, proposed neuromorphic circuits achieve low power consumption and a number of product-sum operations in parallel.
キーワード (和) FeFET / ニューロモルフィック / ダイナミックレンジ / 並列積和演算 / / / /  
(英) FeFET / Neuromorphic / Dynamic range of cell current / Parallel product-sum operation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 284, ICD2019-31, pp. 13-17, 2019年11月.
資料番号 ICD2019-31 
発行日 2019-11-07 (ICD, IE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2019-31 IE2019-37

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体トランジスタを用いた並列積和演算可能なニューロモルフィック集積回路 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ferroelectric FET-based Parallel Product-Sum Operation Neuromorphic Circuits 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FeFET / FeFET  
キーワード(2)(和/英) ニューロモルフィック / Neuromorphic  
キーワード(3)(和/英) ダイナミックレンジ / Dynamic range of cell current  
キーワード(4)(和/英) 並列積和演算 / Parallel product-sum operation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上村 公紀 / Koki Kamimura / カミムラ コウキ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 能美 奨 / Susumu Nohmi / ノウミ ススム
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-14 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 IEICE-ICD2019-31,IEICE-IE2019-37 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.284(ICD), no.285(IE) 
ページ範囲 pp.13-17 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ICD-2019-11-07,IEICE-IE-2019-11-07 


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