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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-13 15:25
MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計
原田彰吾イスラム マーフズル久門尚史和田修己京大VLD2019-34 DC2019-58
抄録 (和) 近年,限られた電力のもとで動作するシステムにおいて,低消費電力の温度センサが求められている.
${rm mu W}$未満の電力で動作する温度センサとして,異なるバイアス電圧で動作するMOSFETの温度特性差を利用したものが提案されている.
しかし,安定した正確なレファレンス電圧源が必要である点が問題である.
本研究では,MOSFETのしきい値電圧のばらつきを利用し,あるしきい値電圧差を持つMOSFETの組を統計的に選択する温度センサ方式を提案する.
本方式はしきい値電圧差をレファレンス電圧の代わりとして利用するため,レファレンス電圧源を不要とし,完全ディジタル動作を行い,低コストと低消費電力の両立を可能にする. 
(英) The need for low power temperature sensors that can operate under limited power supply has been increasing.
One of the low-power sensing method is to utilize the temperature characteristic difference between two MOSFETs
that are biased at different voltages.
However, often these techniques require a stable reference voltage.
The generation of a stable reference voltage causes area and power overhead.
Here we propose a temperature sensing mechanism in which
we statistically select a pair of MOSFETs having an appropriate threshold voltage difference.
Utilizing the threshold voltage difference as the reference, the proposed method eliminates the need for precise voltage reference, thus realizes low-cost and low-power operation.
キーワード (和) 温度センサ / MOSFET / 正規分布 / サブスレッショルド特性 / / / /  
(英) Temperature sensor / MOSFET / normal distribution / sub-threshold characteristics / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 282, VLD2019-34, pp. 51-56, 2019年11月.
資料番号 VLD2019-34 
発行日 2019-11-06 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2019-34 DC2019-58

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF ICD IE IPSJ-SLDM IPSJ-EMB 
開催期間 2019-11-13 - 2019-11-15 
開催地(和) 愛媛県男女共同参画センター 
開催地(英) Ehime Prefecture Gender Equality Center 
テーマ(和) デザインガイア2019 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2019 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2019-11-VLD-DC-CPSY-RECONF-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOSFETの統計的選択によるレファレンス不要なCMOS温度センサの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design of Reference-free CMOS Temperature Sensor with Statistical MOSFET Selection 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 温度センサ / Temperature sensor  
キーワード(2)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) 正規分布 / normal distribution  
キーワード(4)(和/英) サブスレッショルド特性 / sub-threshold characteristics  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 彰吾 / Shogo Harada / ハラダ ショウゴ
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) イスラム マーフズル / Mahfuzul Islam / イスラム マーフズル
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 久門 尚史 / Takashi Hisakado / ヒサカド タカシ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 和田 修己 / Osami Wada / ワダ オサミ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-13 15:25:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2019-34,IEICE-DC2019-58 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.282(VLD), no.283(DC) 
ページ範囲 pp.51-56 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2019-11-06,IEICE-DC-2019-11-06 


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