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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-11 16:20
[特別招待講演]SOA集積電界吸収型光変調光源(AXEL)による106Gbit/s PAM4 60 km伝送
進藤隆彦藤原直樹金澤 慈名田允洋吉松俊英神田 淳陳 明晨大礒義孝佐野公一松崎秀昭NTTOCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74
抄録 (和) (事前公開アブストラクト) 高出力パワーを特徴とするAXELチップと、高感度を特徴とするAPDチップを用いファイバアンプレスの構成で100Gbit/s PAM4信号の60 km伝送を実現した。 
(英) (Advance abstract in Japanese is available)
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文献情報 信学技報, vol. 119, no. 280, LQE2019-74, pp. 33-36, 2019年11月.
資料番号 LQE2019-74 
発行日 2019-11-04 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74

研究会情報
研究会 OPE LQE OCS  
開催期間 2019-11-11 - 2019-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg (Tokyo) 
テーマ(和) ECOC報告(基幹伝送関連、光ネットワーク関連、光アクセス関連、光ファイバ関連、パッシブデバイス関連、アクティブデバイス関連) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2019-11-OPE-LQE-OCS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOA集積電界吸収型光変調光源(AXEL)による106Gbit/s PAM4 60 km伝送 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 106 Gbit/s PAM4 60 km transmission using SOA assisted extended reach EADFB laser (AXEL) 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 進藤 隆彦 / Takahiko Shindo / シンドウ タカヒコ
第1著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ
第2著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 金澤 慈 / Shigeru Kanazawa /
第3著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 名田 允洋 / Masahiro Nada / ナダ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉松 俊英 / Toshihide Yoshimatsu / ヨシマツ トシヒデ
第5著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 淳 / Atsushi Kanda / カンダ アツシ
第6著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 陳 明晨 / Mingchen Chen / チン メイシン
第7著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 大礒 義孝 / Yoshitaka Ohiso / オオイソ ヨシタカ
第8著者 所属(和/英) NTT先端デバイス集積研究所 (略称: NTT)
NTT Device Technology Labs (略称: NTT)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 公一 / Kimikazu Sano / サノ キミカズ
第9著者 所属(和/英) NTTデバイスイノベーションセンタ (略称: NTT)
NTT Device Innovation Center (略称: NTT)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki / マツザキ ヒデアキ
第10著者 所属(和/英) NTT先端デバイス集積研究所 (略称: NTT)
NTT Device Technology Labs (略称: NTT)
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講演者
発表日時 2019-11-11 16:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OCS2019-58,IEICE-OPE2019-96,IEICE-LQE2019-74 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.278(OCS), no.279(OPE), no.280(LQE) 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OCS-2019-11-04,IEICE-OPE-2019-11-04,IEICE-LQE-2019-11-04 


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